《超紧凑型远程射频发射机简化设计》

  • 来源专题:宽带移动通信
  • 编译者: gaof
  • 发布时间:2016-05-23
  • Radiometrix发布了一系列新的三个小型射频发射机,允许设计师在不能适应传统的12.5KHz/25KHz窄带FM发射机的空间受限的应用场景中建立远程低功耗无线电系统。

    MTX1、MTX2和MTX3是分别工作在120-180MHz、420-470MHz和 850-950MHz的四通道发射机,最先进的射频原件保证模块的尺寸紧凑小型化达到23mm x 12.5mm x 7mm,10dBm发 射功率允许使用匹配窄带接收机典型使用范围达到500米。

    发射机符合欧洲标准300 220-2(无线电)和欧洲标准301 489-3能够达到高性能,并且符合免执照的短程设备所有的管控要求。内置的屏蔽考虑到超薄设备设计,避免附加的机械设计并发症,仔细和健壮的电路设计减少了对机械振动的敏感,确保了具有挑战性操作环境下清晰可靠的信号。

    每个模块包含发射机集成电路和基带电路,向用户提供数字或模拟输入,即使是模拟信号比如声频频移键控(AFSK)、高斯滤波最小移频键控(GMSK)和双音多频(DTMF)信号也可以发射。3V稳压器和掉电复位控制器也是内置的。编程是通过一个简单的RS-232串行接口,3.1V到15V大范围输入电压帮助简化系统设计,能源意识表现(大概20mA)最大化以电池为能源的应用的寿命。

    MTX1, MTX2 and MTX3凭借小尺寸、低功耗和高可靠性以及扩展范围,在大范围的应用中提供优越的性能。这包括车辆电子钥匙和其他手持设备、小型数据记录器、工业遥控、智能建筑设备、高端安全系统和火警传感器以及重型车辆控制。

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  • 《Fraunhofer IAF研究用于量子技术的紧凑型片上光子对源》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2021-03-08
    • 德国弗赖堡的弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(IAF)已启动一个纠缠光子的紧凑型片上光源项目,这是实现工业量子技术应用的重要组成部分。 在QuoAlA项目(AlGaAs Bragg反射波导的电信波长量子纠缠光子对源)中,科学家们正在研究将砷化铝镓(AlGaAs)作为产生纠缠光子源的波导,AlGaAs可以实现特别紧凑的设计和芯片集成。 量子技术的应用的基础是各种量子现象和基本粒子的物理定律,其中包括纠缠光子的影响,这是高精度传感器技术和安全量子通信前景概念的基础。为了将这些技术应用到光子电路中,就需要一种紧凑而高效的纠缠光子对源。 量子光子系统的主要组件(例如反射镜、分束器和移相器)现在都可以集成形式实现。但是,这还不适用于所需的光源和检测器。 Fraunhofer IAF的目标是将量子通信所需的所有功能(即单个和纠缠的光子的生成、操纵和检测)集成到一个芯片中。通过QuoAlA项目,研究人员正在朝着光源迈出第一步。 AlGaAs布拉格反射波导作为光子对源 QuoAlA的重点研究方面是对基于AlGaAs的光子源及其外延制造。目的是在精确定义的波长下产生具有高纠缠质量的光子对,目标波长为1550nm,即在电信范围内(1500-1600nm)。 AlGaAs在光子对源方面的应用很有前景,主要因为它具有非线性特性。在具有非线性特性的材料中,由于光学效应,光子可以在高光强度下自发地分裂为两个光子。这样的轻粒子对可以被量子机械地纠缠。 特别紧凑的设计潜力 此外,AlGaAs布拉格反射波导允许在芯片级水平上集成其他光学和电子组件。 在QuoAlA项目中使用技术的独特之处在于具有集成泵浦激光二极管的潜力,这使得超小尺寸的设计成为可能。减小部件的尺寸、重量将满足实际应用的基本要求。 作为电信中的光源,必须能够非常精确地调整光子的波长,因为通道的波长间隔小于1nm。产生的光子的波长非常敏感地取决于波导的外延层结构。因此,该项目专注于基于AlGaAs的布拉格反射波导的外延精度,这可以决定所产生的纠缠光子的波长。 此外,科学家正在使用软件对布拉格反射波导进行光学仿真,该软件是他们先前在NESSiE项目(电信波长下量子纠缠源的非线性波导)中所开发,该软件在2019-2020年期间运行。
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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2019-04-08
    • 美国的Vishay Intertechnology光电子集团推出了Vishay Semiconductors VLD.1232 ..系列,即采用无色表面贴装和半球形透镜的465nm蓝色和525nm真绿色超亮LED(分别为VLDB1232 ..和VLDTG1232 ..)。 Vishay Semiconductors VLD.1232 ..系列采用该公司最新的氮化铟镓(InGaN)/蓝宝石芯片技术,无需外部透镜即可提供±9°的窄发射角,其发光强度为16,000mcd(典型值)。具体而言,在正向电流(IF)为20mA时,真绿色VLDTG1232 .. LED的发光强度范围为7100-28,000mcd,VLDB1232 .. LED的发光强度范围为1800-7100mcd。 由于其高亮度和小巧的塑料外壳(2.3mm×2.3mm×2.8mm),LED适用于各种应用,包括交通信号和标志、内外部照明、音频视频的指示器和背光等。 该器件提供鸥翼式和反鸥翼型,具有高光通量,可承受高达2kV的ESD电压,符合JESD22-A114-B标准,并且每个包装单元均采用发光和颜色分类。符合RoHS标准,无卤素和Vishay Green,VLD.1232 ..系列LED与J-STD-020的回流焊接工艺兼容,并可根据JEDEC Level 2a进行加工。