Transparency Market Research的一份报告估计,全球氮化镓(GaN)衬底市场收入将以10%的复合年增长率(CAGR)增长,到2027年将达到2.25亿美元。
GaN基板有望显着提高复杂电源管理和控制功能的性能,而且制造成本低。GaN器件还因各种优点而受到广泛欢迎,包括高击穿电压、高开关速度、高导热率和低导通电阻,预计GaN技术器件在高频、高压和高温应用中的使用将不断增长,这些将推动全球GaN衬底市场。
白光LED的采用是促进GaN衬底市场的另一个因素。除了功率器件以外,GaN衬底还可用于制造白光LED,其性能超过了以前的器件。此外,由于GaN技术的飞速发展,现在已经开发出具有低缺陷密度和自由宏观缺陷密度的高效GaN衬底,反过来更好服务于白光LED。因此,白光LED的采用日益增加,将带动GaN衬底市场的增长。
亚太地区将继续保持GaN衬底的第一大市场的地位。在2018年占全球GaN衬底市场关键份额的情况下,由于GaN器件在多个最终用途行业中的各种应用的日益普及,预计亚太地区将在2019年至2027年之间继续占据主导地位。
北美已经成为GaN衬底的第二大市场。预计在预测期内,该地区将在全球市场中保持相当大的份额,这是由于GaN衬底日益频繁的用于白光LED、电动汽车等各种应用中。
在整个预测期内,预计欧洲将成为GaN衬底利润丰厚的市场。由于该地区的快速工业化,预计市场将继续发展。