BAE系统公司已经完成了第一阶段的工作，即将美国空军开发的短栅氮化镓（GaN）技术过渡到位于美国新罕布什尔州纳舒厄的高级微波产品（AMP）中心，并且空军研究实验室（AFRL）也已将其选为该计划的第二阶段。
GaN技术以紧凑的形式提供了高效率和宽带带宽功能，可以集成到各种系统中，以实现下一代雷达，电子战（EW）和通信。
作为第二阶段的一部分，BAE Systems FAST Labs的研发团队和AMP中心将合作进一步开发，并提高该技术的就绪性。具体而言，该项目将把140nm GaN单片微波集成电路（MMIC）技术扩展到6英寸晶圆，并提高其成熟度制造水平，其中包括优化性能，确保过程稳定性，以及最大程度地提高晶圆均匀性和晶圆良率。Engic IC将支持设计活动，包括过程设计工具包（PDK）验证。这项技术将过渡到铸造服务产品，通过BAE系统的开放铸造服务，在第2阶段结束时，该技术可以在不同的政府计划中被广泛地利用。
BAE Systems FAST Labs的先进电子产品线总监Chris Rappa说：“我们的铸造厂是国防界最信赖的合作伙伴，因为我们致力于短栅GaN等重要技术的设计和实施，GaN技术满足了国防部对低成本，高性能放大器技术的需求，而这项工作的第二阶段将AFRL技术进一步推向市场。”
GaN在内的微电子技术的开发和研究主要在BAE系统公司70000平方英尺（约6503平方米）的微电子中心（MEC）进行。自2008年以来，MEC一直是美国国防部（DoD）认可的供应商，并为国防部计划量产集成电路。
