来自耶路撒冷希伯来大学、石溪大学和美国能源部的研究人员发现了一种重要的半导体调制方法的新效果。该方法通过在材料的结构中创建开放空间或“空位”，使科学家能够调整半导体纳米晶(SCNCs)的电子特性，这些半导体粒子的尺寸小于100纳米。这一发现将促进智能窗户等新技术的发展，这些技术可以根据需求改变不透明。
科学家们使用一种叫做“化学掺杂”的技术来控制半导体的电子特性。在这个过程中，化学杂质——来自不同材料的原子——被添加到半导体中，以改变其电导率。虽然SCNCs是可行的，但由于它们的尺寸很小，所以很困难。在化学掺杂过程中添加的杂质含量非常小，为了使纳米晶体正确地掺杂在晶体中，只有少量的原子可以被加入到晶体中。纳米晶体也倾向于排除杂质，进一步使兴奋剂的过程复杂化。
为了更容易地控制SCNCs的电子特性，研究人员研究了一种叫做空位形成的技术。在这种方法中，杂质没有加入到半导体中;相反，其结构中的空缺是由氧化还原反应(redox)反应形成的，反应是一种化学反应，电子在两种物质之间转移。在这种转移过程中，一种掺杂发生在缺失的电子上，称为孔洞，在晶体结构中自由移动，极大地改变了SCNC的导电性。
来自耶路撒冷希伯来大学的纳米技术学家乌里·巴因(Uri Banin)说:“我们还确定了空缺形成的兴奋剂反应的效率。”“在更大的SCNCs中，空缺的形成实际上更有效率。”
在这项研究中，研究人员调查了硫化铜纳米晶(半导体)和碘(一种化学物质)之间的氧化还原反应，以影响氧化还原反应的发生。
——文章发布于2017年8月10日
