《Soitec和应用材料公司使用Smart Cut技术共同开发碳化硅衬底》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2019-12-01
  • 法国工程衬底制造商Soitec宣布与美国半导体设备制造商Applied Materials公司启动联合研发项目,共同开发新一代碳化硅衬底。由于碳化硅衬底的供应不足、产量低和成本高,其采用受到限制。Soitec表示,它将与Applied Materials合作可克服这些挑战。

    在该联合研发项目,Soitec将利用其在工程基板方面的专业知识经验,如专有的Smart Cut技术,Applied Materials将贡献材料工程方面的专业知识,例如工艺技术和设备专业知识。

    根据联合研发项目计划,两家公司将在位于法国格勒诺布尔的微纳米技术研发中心CEA-Leti的基板创新中心安装碳化硅工程基板中试线。该生产线预计将在2020年下半年投入运营,目标是在2020年下半年使用Soitec的Smart Cut技术生产碳化硅晶片样品。

    Soitec战略办公室执行副总裁Thomas Piliszczuk认为:“Soitec有30年的经验和Smart Cut技术,加上Applied Materials在材料工程领域的卓越领导能力,可以实现强大的碳化硅供应链。”

    应用材料公司新市场和联盟高级副总裁Steve Ghanayem认为:“凭借广泛的产品组合和深厚的专业知识,我们有能力帮助电力电子行业克服最严峻的技术挑战。”

    奥迪公司电子与半导体技术中心和半导体战略主管Berthold Hellenthal评论道:“电动汽车是奥迪研发的重点。移动技术的未来将是电动的,这些都基于从半导体材料和基板层面的技术创新,碳化硅可以在电动汽车中实现更高的功率密度和更高效率的半导体。我们很高兴看到Soitec和Applied Materials携手合作以推进这项技术。”

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    • 编译者:husisi
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    • - 双方达成协议,将针对采用 Soitec 技术生产 200mm 碳化硅(SiC)衬底进行验证 - Soitec 关键的半导体技术赋能电动汽车转型,助力工业系统提升能效 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)与设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业法国 Soitec 半导体公司正式宣布,双方在碳化硅衬底领域的合作迈入新阶段,意法半导体将在未来 18 个月内对 Soitec 的碳化硅衬底技术进行验证,在未来的 200mm 衬底制造中采用 Soitec 的 SmartSiC™ 技术,助力器件和模块制造业务的发展,并有望在中期实现量产。 意法半导体汽车和分立器件产品部总裁 Marco Monti 表示:“汽车和工业市场正在加快推进系统和产品电气化进程,碳化硅晶圆升级到 200mm 将会给我们的汽车和工业客户带来巨大好处。随着产量扩大,提升规模经济效益是很重要的。作为一家半导体垂直整合制造商(IDM),我们可以在整个制造链中最大化地发挥独特的技术优势,覆盖从高质量衬底到大规模的前端和后端生产等环节。提高生产的良率和质量正是我们与 Soitec 开展技术合作的目的。” Soitec 首席运营官安世鹏(Bernard Aspar)表示:“电动汽车正在颠覆汽车行业的发展。通过将我们专利的 SmartCut™ 工艺与碳化硅半导体相结合,SmartSiC™ 技术将加速碳化硅在电动车市场的应用。Soitec 的 SmartSiC™ 优化衬底与意法半导体行业领先的碳化硅技术、专业知识相结合,将推动汽车芯片制造领域的重大变革,并树立新的行业标准。” 碳化硅是一种颠覆性的化合物半导体材料,拥有优于传统硅的特性,面向电动汽车和工业流程等领域的关键、高增长的功率应用,能够提供卓越的性能和能效。它可以实现更高效的电能转换、更轻量紧凑的设计,并节约整体系统设计成本,助力汽车和工业系统的成功。 从 150mm 晶圆发展到 200mm 晶圆,用于制造集成电路的可用面积几乎翻倍,而每片晶圆可提供比原先多 1.8 至 1.9 倍数量的有效芯片,这将促使产能得到大幅提升。 SmartSiC™ 是 Soitec 的专利技术。通过使用 Soitec 专利的 SmartCut™ 技术,可以剥离出高质量的碳化硅供体晶圆薄层,并将其键合到低电阻率的多晶硅操作晶圆上,助力改进器件的性能和生产良率。此外,优质的碳化硅供体晶圆可被多次重复利用,进而大幅降低生产的总能耗。
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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
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