德国硅晶片制造商Siltronic AG表示，由于其硅氮化镓（GaN-on-Si）晶片在其客户的试验生产线中表现出非常好的性能，因此决定进一步投资外延反应堆。
快速增长的新应用程序需要高开关频率和有效的能源管理，同时还要在高功率密度下工作，如数据中心、可再生能源和下一代无线网络（5G）等，氮化硅技术满足了这三个要求。通过这样做，GaN不仅可以促进未来的增长市场，而且还可以同时为降低数字化，能源分配和迁移性做出贡献。因此，GaN-on-Si晶片有望越来越多地用作此类应用的首选材料。
Siltronic的GaN-on-Si活动最早于2011年开始，加入了各自的Imec行业联盟计划（IIAP）。开发了一个综合性，高性能的GaN-on-Si技术平台，包括用于高效电力电子器件的GaN晶片和基于6英寸和8英寸晶片直径的高频应用（如5G）的GaN-on-Si晶片。
世创电子材料还在欧洲联盟（EU）层面投资于这项未来技术的研究。该公司与其他25个合作伙伴一起表示，作为欧洲“最终GaN”研究项目的一部分，它正在将GaN技术开发到极致，增强欧洲在电力产品和可持续能源管理方面的能力。
