化学气相沉积(CVD)对石墨烯和其他二维材料的大规模生产具有广阔的前景。优化CVD过程以提高其质量是正在进行的努力的重点，并在减少与晶界和成核点相关的缺陷方面取得了重大进展。然而，对于在单晶材料中存在的、甚至是目前优化工作的极限的外生长晶格中的结构缺陷的质量和起源，我们知之甚少。我们在此研究了利用纳米尺度控制石墨烯在大范围内的生长速率的这种缺陷的形成动力学。拉曼光谱结果的统计分析表明，生长速率与缺陷之间存在明显的变化趋势，即在生长前，缺陷会优先愈合。我们的研究结果表明，低增长率是为了避免晶格缺陷的冻结和形成高质量的材料。这一结论得到了石墨烯载体在生长速率优化后的四倍增强的证实。
——文章发布于2018年3月06日
