同位素示踪法研究氧化物半导体中点缺陷的能量学特征

同位素示踪法研究氧化物半导体中点缺陷的能量学特征

出版年：2018

作者：汤爱华

资源类型：图书

细分类型：学位论文

1浏览量

问图书管理员

点赞

收藏

访问借阅管理系统

Y-AI-O氧化物陶瓷中点缺陷行为的第一性原理研究

作者：李臻
出版年：2011

ZnO基半导体本征点缺陷、自补偿机理及相关器件的研究

作者：刘利书
出版年：2016

硅基体中点缺陷扩散行为的第一原理研究

作者：马尚义
出版年：2010

铌基、钛基氧化物的点缺陷调控及其光催化还原N_2和CO_2的性能研究

作者：钱薪竹
出版社：中国科学技术大学
出版年：2022

高介电常数氧化物缺陷与掺杂的第一性原理研究

作者：刘竹友
出版社：中国科学院半导体研究所
出版年：2023

钨氧化物的缺陷工程调控与催化性能研究

作者：张宁
出版社：中国科学技术大学
出版年：2018