相关推荐

Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究

  • 作者:孔祥挺
  • 出版年:2017

高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究

  • 作者:常虎东
  • 出版年:2013

基于自终止热刻蚀方法的凹槽栅GaN高电子迁移率晶体管研究

  • 作者:苏帅
  • 出版社:中国科学技术大学
  • 出版年:2021

锗基pMOSFET迁移率的栅电荷库伦散射研究

  • 作者:周丽星
  • 出版社:中国科学院微电子研究所
  • 出版年:2019