《GaN Systems推出创纪录的100V / 120A GaN功率晶体管》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2018-03-11
  • 在美国德克萨斯州圣安东尼奥举行的应用电力电子展览会(APEC 2018)展位#1041(3月4日至8日),加拿大渥太华的GaN系统公司(一家基于氮化镓功率开关的无晶圆厂开发商用于功率转换和控制应用的半导体)已经宣布它是最高电流和功率效率最高的100V GaN功率晶体管。

    销售和市场副总裁Larry Spaziani说:“我们的技术路线图定位于满足日益增长的对100V和650V应用的最佳GaN技术解决方案的需求。新推出的100V,120A GaN E-HEMT以及我们最近推出的650V,120A GaN E-HEMT ,是我们推出的众多最新高性能GaN晶体管和解决方案之一。”该公司的目标是“持续提供旨在超越当今最苛刻应用中的电源系统效率和可靠性要求的产品”。

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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2018-09-17
    • 在美国俄勒冈州波特兰市的第10届IEEE能源转换大会暨展览会(ECCE 2018)上,加拿大渥太华的GaN Systems公司展示了其最新产品和设计工具,来扩展GaN功率晶体管的功能。GaN Systems是一家开发氮化镓基功率开关半导体来用于电源转换和控制应用的公司。 览会上展示了100V,120A,5mΩ的GaN E-HEMT器件(声称是最高电流和最节能的100V GaN功率晶体管);120A,650V,12mΩGaiE-HEMT(据称是世界上额定电流最高的GaN功率晶体管);和无线功率放大器(100W和300W),可以用于高功率消费,工业和运输应用中的无线充电。此外,还将展示简化设计过程的参考设计和评估套件。 该公司还提供应用演示,并专注于工业、汽车和可再生能源应用。
  • 《Fraunhofer IAF报告创纪录的640GHz InGaAs MOSHEMT晶体管》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2020-01-26
    • 德国的弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(IAF)开发了一种金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT),以取代常规砷化铟镓(InGaAs)通道的肖特基势垒具有隔离氧化层的HEMT,并且达到了640GHz的创纪录截止频率,使这更小、更强大的设备成为可能。这款晶体管结合两种晶体管技术的优势,可以阻挡层可克服漏电流,以及首款具有MOSHEMT的集成电路。 研究人员表示通过用隔离氧化物层代替HEMT的肖特基势垒,将III-V半导体和硅MOSFET的优点结合在一起,便产生了一种有可能远远超过当前HEMT效率的器件。在Fraunhofer IAF的高频电子设备领域,MOSHEMT使我们可以进一步缩小设备尺寸,从而达到更快,更高效的目的。凭借MOSHEMT技术,Leuther及其团队成功实现了创纪录的640GHz最大振荡频率。 为了克服栅极漏电流,研究人员用由氧化铝(Al2O3)和氧化ha(HfO2)组成的隔离层组合代替了半导体势垒材料。这使栅极漏电流减少1000倍以上。第一批MOSHEMT具有很高的发展潜力,而当前的场效应晶体管技术已经达到了极限。 极快的MOSHEMT专为100GHz以上的频率范围而设计,因此特别适用于新型通信,雷达和传感器应用。Fraunhofer IAF表示,MOSHEMT已经成功实现了它声称的第一个基于InGaAs MOSHEMT的单片微波集成电路(MMIC)放大器,其频率范围为200 -300GHz。