《CST Global将硅光子激光器的产量提高了500%》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2017-08-14
  • III-V光电晶圆复合半导体技术全球有限公司表示,其硅光子激光器的产量比去年同期增加了500 %。 “CST Global提供用于硅波导的激光器。这些是集成的,基于光纤和电子的基于微芯片的组件,用于增加现有光纤网络的光信号处理能力以及数据速率容量,”销售和营销副总裁Euan Livingston说。他补充说:“硅波导技术使数据传输速率提高了10倍,代表了一种高性价比的升级方法,可以升级现有的光纤网络基础设施。” “CST Global制造的硅光子激光器最常用于数据中心和城域网升级,”Livingston继续说道。 “专用设备生产增加500%,清楚地表明硅光子网络升级市场已经牢固地建立并迅速部署。”
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  • 《OpenLight推出全球首个集成激光器的开放式硅光子平台》

    • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者:husisi
    • 发布时间:2022-06-17
    • 6月7日,光子学代工初创企业OpenLight推出了全球首个集成激光器的开放式硅光子平台。该平台达到了激光集成和可扩展性的水平,能够加速高性能光子集成电路(PICs)的开发,应用领域包括电信、数据通信、激光雷达、医疗保健、人工智能和光计算。 OpenLight是今年4月份EDA软件工具开发平台Synopsys和网络通讯设备公司Juniper Networks刚宣布成立的一家独立企业。该公司提供开放的硅光子学平台,以满足包括医疗保健、电信、激光雷达和量子计算等应用领域日益增长的光子需求。 据悉,OpenLight将使用塔尔半导体(Tower Semiconductor)集成激光器的工艺,而该工艺已通过塔尔半导体PH18DA生产工艺的认证和可靠性试验。 OpenLight预计首个开放的多项目晶圆(MPW)设备将在2022年夏天搭载PH18DA工艺以及400G和800G参考设计,并使用集成激光器。 当下,激光集成(包括制造、组装和校准这些激光器)以及与离散激光器应用不仅成本高昂,且耗时耗人力,这成为了硅光子学面临的一大挑战。随着激光通道数量和总带宽的增加,对其进行集成正变得越来越重要。 PH18DA平台能够提供的独特关键价值在于,它能够通过直接在硅光子晶圆上处理磷化铟(InP)材料,减少安装激光器的成本和时间,并且可以实现产量的扩容、提高功率效率。此外,单片集成激光器提高了该平台整体的可靠性,简化了封装过程。 它的芯片设计采取了“开放”组合,这些组合基于独特的集成激光器。OpenLight开发了光子芯片设计的模块化模板,重点是集成InP激光器,工作在1310-1550纳米之间。客户可以使用这些PDK来开发已经验证过的芯片设计。 Synopsys副总裁Aveek Sarkar表示:“OpenLight通过实现可扩展的可插电和共封装光学激光器集成,为新一代硅光子学铺平了道路。Synopsys统一的电子和光子设计解决方案与OpenLight创新的硅光子平台结合,将大大加快光子集成电路的发展。” OpenLight开放平台包括了集成激光器、光放大器、调制器、光电探测器等关键光子器件,形成低功率、高性能光子集成电路的完整解决方案。此外,OpenLight还提供了部分PIC设计和设计服务,以加快产品上市的时间。 硅光子学是目前正蓬勃发展的一项技术,在这种技术下,数据通过光学射线在计算机芯片之间传输,可以以比传统电子电路更快的速度携带更多的数据。此外,硅光子学比电导体消耗更少的能量和产生更少的热量。因此,它是更节能和成本效益。根据Markets and Markets的报告,硅光电子市场预计将以26.8%的复合年增长率增长,到2027年将从2021年的11亿美元增至46亿美元。
  • 《具有n型脊的硅衬底InGaN激光器》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2020-10-19
    • 中国苏州纳米技术与纳米仿生研究所(SINANO)已在硅上使用n型脊形波导(nRW)制造了氮化铟镓(InGaN)发射紫光的激光二极管(LDs),与pRW LDs相比,其电阻更低,热性能更好。普通工艺要求基于InGaN的激光二极管中的RW位于器件的p侧,但p-GaN的电阻比n-GaN的电阻大得多,因此出现了热和电问题。 该团队认为nRW-LD器件可以与大规模的硅基互补金属氧化物半导体(CMOS)主流电子产品完全兼容,并且可以在单片集成硅光子学中用作高效的片上光源,以实现高功率加快数据通信和计算速度。 RW-LD的III-氮化物异质结构在硅上生长,并控制穿线错位密度。激光二极管结构由夹在波导层之间的五个InGaN量子阱组成。将激光二极管结构的p面朝下键合到具有p型欧姆接触电极表面的精确Si(100)晶片上。倒置的RW-LD结构使包层的n型侧面约为0.5μm。在非倒置结构中,n覆层位于厚GaN模板的顶部,倒置RW-LD覆层的p侧较厚,为1.2μm。最终将键合材料制成10μmx800μmRW-LD器件。 研究人员表示低热导率的n型AlGaN包层厚度减小可以降低由于AlGaN和GaN模板之间晶格失配而产生的热阻和拉应力,从而提高器件性能和制造成品率。 在-5V反向偏置下,反向泄漏电流为?10-7A。开启电压约为3.0V。反向nRW-LD注入350mA时的差分电阻为1.2Ω,反向器件的热阻估计为18.2K / W。在350mA下连续波(CW)操作下的结温为48.5°C。 在100mA注入时,nRW-LD结构的半峰全宽(FWHM)光谱线为12nm。在320mA时,线宽缩小到0.8nm,在阈值处给出的激光模式波长为418.3nm。