《中国即将量产7nm,辅以芯片堆叠技术可望媲美台积电4nm》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: husisi
  • 发布时间:2022-04-13
  • 据业界人士指出7nm工艺即将量产,将以现有的DUV光刻机实现,这对于中国芯片制造来说可谓巨大的突破,由此可望解决芯片生产问题,提升国产芯片自给率。

    7nm工艺可谓是芯片制造工艺的一个临界点,台积电、三星和Intel都是如此,突破了7nm工艺将达到一个全新的阶段。

    台积电是全球最先实现7nm工艺量产的芯片制造企业,它就是以DUV光刻机实现了7nm工艺,并以此工艺先后为华为海思、苹果、高通、AMD等生产芯片,获得了颇佳的性能,至今高通用了3年的骁龙870在功耗表现方面都比它后来的两款高端芯片骁龙888、骁龙8G1优异得多。

    随后台积电以EUV光刻机推出了7nmEUV,在性能功耗方面获得了大幅提升,业界人士指出以EUV光刻机生产的7nm工艺在良率方面大幅提升、降低了成本,由此台积电的芯片制造工艺达到新阶段,彻底领先于Intel,此后开始发展5nm、3nm工艺。

    可以说7nm工艺是一个关键节点,跨过了这个节点,就可以顺利量产更先进的工艺。同时台积电的7nm工艺演进也说明了无需EUV光刻机也能实现,只不过在性能方面与EUV光刻机生产的7nm相比落户一些。

    中芯国际目前是全球第五大芯片代工企业,不过在工艺制程方面可以进入前三,原因是位居它之前的联电、格芯都已宣布停止研发7nm及更先进工艺,因为这些先进工艺的投资越来越大,而赚钱的难度也更大,毕竟全球高端客户也就那么几家,它们无力与台积电和三星竞争,只好退守当下的14nm工艺,挖掘现有工艺的潜能。

    中芯国际在两年前投产14nm工艺之后,就开始研发N+1、N+2工艺,业界普遍认为N+1工艺接近于台积电的10nm、N+2工艺则接近台积电的7nm工艺,两年时间过去估计它已接近量产阶段,毕竟此前梁孟松在三星负责工艺研发的时候成功推进了7nm工艺。

    中芯国际推进7nm工艺对于中国芯片产业具有重要意义,这代表着中国在芯片制造工艺方面已居于全球第三,可以满足国内芯片大多数的需求,毕竟当下除了有限的手机芯片需要采用先进的5nm工艺之外,大多数中国制造业需要的工艺制程只需要成熟工艺就能满足。

    中国的科技行业领军者就受制于先进工艺制程,由于台积电无法为它代工生产芯片而陷入当前的局面,如果国产芯片制造技术可以达到7nm,再辅以芯片堆叠技术,那么可以生产出媲美台积电4nm工艺的芯片,那么对于中国大陆的芯片行业来说将是重大突破。

    可以说中芯国际量产7nm工艺将具有非常重大的意义,同时国内科技企业科技企业推出的芯片堆叠技术等创新科技与7nm工艺相结合,可以实现加成效果,彻底芯片工艺落后的问题,达到世界领先水平,这将有助于国产芯片加速赶超海外同行。

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