以色列的VisIC技术有限公司宣布推出一款新的水冷式V22N65A-HBEVB半桥评估板，展示使用其GaN开关（先进的低损耗开关）来实现的高功率性能。
评估平台可以在任何半桥拓扑结构中进行操作，并且仅使用单个V22N65A晶体管进行降压和升压拓扑测试，最高功率可达9kW。据说这是市场上第一款基于GaN的解决方案，可提供高达9kW的功率，无需并联，适用于混合动力和电动汽车中的高密度车载充电器（OBC）。
该公司表示，V22N65A All-Switch SMD是一种分立式顶部冷却器件，其采用先进的隔离封装设计，使导热量和开关损耗量处于超低状态，也可最大化的实现每个GaN器件的性能。低寄生电感功率和栅极环路设计与高阈值电压（5V）相结合，使设计人员能够在多功率范围和高功率应用中安全地采用VisIC GaN开关。
