氮化镓（GaN）器件市场预计将从2016年的165亿美元至2023年的224.7亿美元，复合年增长率（CAGR）为4.6％，数据来自MarketsandMarkets的 “氮化镓半导体器件市场 - 全球预测至2023年” 报告。
推动增长的主要因素包括：消费电子和汽车使用GaN的庞大市场地位，GaN材料的宽禁带性能，鼓励创新应用，GaN在射频功率电子器件方面的成功，以及在军事，国防和军事领域里越来越多地采用氮化镓射频器件航空航天应用。然而，在高压功率半导体器件中碳化硅（SiC）的偏好预计将成为整个GaN器件市场的潜在限制。
由于消费和企业，工业和汽车应用等各个行业对LED的需求不断增加，预计亚太地区（APAC）预计将成为预测期内GaN器件市场最大的地区。
