近日，美国国家标准与技术研究院（NIST）的研究人员发现了一种基于微米凸起中的InGaAs量子点的可散发单光子源。该光源在929.7纳米的波长下实现了 280 万光子/秒的最大光子通量，多光子抑制比为g(2)(0) = 0.22。半导体芯片可以安装在任何低温系统中，所有光学元件的紧凑尺寸有助于轻松传播以进行实验室间比较。在两种不同的实验室环境中，光子通量和多光子抑制结果的一致性强调了这种单光子源的稳定性和多功能性。
如需进一步了解这项研究的详细信息请访问：https://tsapps.nist.gov/publication/get_pdf.cfm?pub_id=957995
