纳维半导体（Navitas Semiconductor，Inc）正在发布一款4.5kW的平台，该平台由GaN和SiC组合实现，可将密度提高到130W/in3以上，效率提高到97%以上，并希望开发一款可提供高达10kW的人工智能数据中心芯片电源的平台。Navitas 的 GaN 和 SiC 组合设计正在接受 20 多个数据中心客户项目的 AI 功率评估。Nvidia的“Grace Hopper”H100 CPU和GPU等高性能AI处理器使用700W，预计下一代B100和B200芯片到明年将增加到1,000W或更多。人工智能提高了数据中心电力需求。英伟达希望下一代GPU达到1kW。8 月，纳维推出了一款使用 GaN 的 3.2kW 数据中心电源平台，可实现超过 100W/in3 和超过 96.5% 的效率（参见数据中心 AI 电源的 3.2kW GaN 参考设计）。目前，该公司计划在 2024 年底之前推出一个 8-10kW 的电源平台，以满足 2025 年的 AI 电源需求。该平台将同时使用GaN和SiC技术，并在架构方面取得进一步进展，以在功率密度、效率和上市时间方面树立全新的行业标准。Navitas已经与主要数据中心客户合作，预计将在2024年第四季度推出完整平台，仅在12-18个月内完成功率需求增加3倍。系统设计包括完整的设计附带资料，包括经过充分测试的硬件、原理图、物料清单、布局、模拟和硬件测试结果，以最大限度地提高一次性正确设计和快速创收。是德科技进入人工智能数据中心测试市场。戴尔与纳维科技携手进军氮化镓市场。纳维公司首席执行官兼联合创始人吉恩·谢里丹表示：“人工智能（AI）在全球数据中心的快速发展和部署，给我们的整个行业带来了巨大而意外的电力挑战。我们对前沿GaN和SiC技术的投资，结合我们独特的数据中心设计中心能力，使我们处于有利地位。我们的团队真正地迎接了挑战，在不到18个月的时间里实现了3倍的电力增长。”
