《美光率先于业界推出 1Α DRAM 制程技术》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: husisi
  • 发布时间:2021-02-02
  • 内存与存储解决方案领先供应商MicronTechnologyInc.(美光科技股份有限公司)1月27日宣布批量出货基于1α(1-alpha)节点的DRAM产品。该制程是目前世界上最为先进的DRAM技术,在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。这是继最近首推全球最快显存和176层NAND产品后,美光实现的又一突破性里程碑,进一步加强了公司在业界的竞争力。

    美光技术与产品执行副总裁ScottDeBoer先生表示:“1α节点印证了美光在DRAM领域的领先成就,同时也是我们对前沿设计和技术不懈追求的成果。对比我们上一代的1zDRAM制程,1α技术将内存密度提升了40%,为将来的产品和内存创新提供了坚实的基础。”

    美光计划于今年将1α节点全面导入其DRAM产品线,从而更好地支持广泛的DRAM应用领域——为包括移动设备和智能车辆在内的各种应用提供更强的性能。

    美光继续领跑多个内存应用市场

    美光执行副总裁兼首席商务官SumitSadana先生表示:“我们全新的1α技术将为手机行业带来最低功耗的DRAM,同时也使美光于数据中心、客户端、消费领域、工业和汽车领域的DRAM客户受益匪浅。内存和存储预计是未来十年增长最快的半导体市场,美光凭借领先业界的DRAM和NAND技术,将在这个快速增长的市场中立于不败之地。”

    美光的1α技术节点使内存解决方案更节能、更可靠,并为需要最佳低功耗DRAM产品的移动平台带来运行速度更快的LPDDR5。美光为移动行业提供最低功耗的DRAM平台,实现了15%的节能[1],使5G用户在不牺牲续航的同时能在手机上进行更多任务操作。

    美光的1α先进内存节点提供8Gb至16Gb的密度,将助力美光现有的DDR4和LPDDR4系列产品延长生命周期,并能为美光在服务器、客户端、网络和嵌入式领域的客户提供更低功耗、更可靠的产品及更全面的产品支持,从而降低客户再次验证的成本。对于具备较长产品生命周期的汽车嵌入式解决方案、工业PC和边缘服务器等应用场景而言,1α制程同样保证了在整个系统生命周期内更具优势的总体拥有成本。

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  • 《美光宣布量产第3代10纳米级制程DRAM》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:shenxiang
    • 发布时间:2019-08-26
    • 根据国外科技媒体《Anandtech》的报导指出,日前美系存储器大厂美光科技(Micron)正式宣布,将采用第3代10纳米级制程(1Znm)来生产新一代DRAM。而首批使用1Znm制程来生产的DRAM将会是16GB的DDR4及LPDDR4X存储器。对此,市场预估,美光的该项新产品还会在2019年底前,在美光位于中国台湾台中的厂区内建立量产产线。 报导指出,美光指出,与第2代10纳米级(1ynm)制程相比,美光的第3代10纳米级制程(1Znm)DRAM制造技术将使该公司能够提高其DRAM的位元密度,从而增强性能,并且降低功耗。此外,以第3代10纳米级制程所生产新一代DRAM,与同样为16GB DDR4的产品来比较,功耗较第2代10纳米级制程产品低40%。 另外,在16GB LPDDR4X DRAM方面,1Znm制程技术将较1Ynm制程技术的产品节省高达10%的功率。而且,由于1Znm制程技术提供的位元密度更高,这使得美光可以降低生产成本,未来使得存储器更加便宜。 报导进一步指出,美光本次并没有透露其16Gb DDR4 DRAM的传输速度为何,但根据市场预计,美光的新一代1Znm制程DRAM存储器将会符合JEDEC制定的官方标准规格。而首批使用美光新一代1Znm制程16GB DDR4存储器的设备将会是以桌上型电脑、笔记型电脑、工作站的高容量存储器模组为主。 至于,在行动存储器方面,根据美光公布的资料显示,1Znm制程的16GB LPDDR4X存储器的传输速率最高可达4266 MT/s。此外,除了为高端智能手机提供高达16GB(8×16Gb)LPDDR4X的DRAM模组外,美光还将提供基于UFS规格的多存储器模组(uMCP4),其中内含NAND Flash和DRAM。而美光针对主流手机的uMCP4系列产品将包括64GB+3GB至256GB+8GB(NAND+DRAM)等规格。 虽然美光没有透露其采用1Znm技术的16GB DDR4和LPDDR4X存储器将会在哪里生产,不过市场分析师推测,美光其在日本广岛的工厂将会采用最新的制造技术开始批量生产,而在此同时,也期待2019年底前在台湾台中附近的美光台湾晶圆厂将开始营运1Znm制程技术的生产线。
  • 《中芯国际量产14nm制程芯片》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:shenxiang
    • 发布时间:2019-10-21
    • 中芯国际近日表示,通过加大研发投入,14nm制程工艺芯片已经实现量产,并将于2021年正式出货。 继去年8月中芯国际首次宣布14nm芯片研发成功,到如今超预期实现量产,良率高达95%。这标志着中芯国际正式赶超台积电南京12寸厂的16nm制程工艺,追平台联电14nm制程工艺,正式跻身全球晶圆先进制程工艺代工厂的行列,这是中国半导体发展史上的重要里程碑。 对于芯片厂商而言,缩减制程数值是它们不遗余力去实现的目标。但是,当栅极宽度逼近20nm时,就会遇到新的技术瓶颈,导致研发难度和成本急剧上升:由于栅极过窄,对电流控制能力急剧下降,二氧化硅绝缘层会变得更薄,容易导致电流泄漏。因此,就需要光刻设备、绝缘材料、芯片栅极改制、FinFET 3D等新技术新工艺以突破技术壁垒。 从制程工艺的发展情况来看,从28nm到14nm是一道分水岭,随着摩尔定律逐步失效,制作更先进制程的芯片需要更长周期,业界至此也开始两极分化为具备先进制程或是传统制程的不同技术能力。 全球六大IC晶圆厂制程演进表在全球半导体业中,能实现14nm工艺节点的企业不到10家,包括英特尔、三星、台积电、格罗方得、联电、东芝、海力士、美光等。 中芯国际14nm芯片实现量产,获得的是成为全球晶圆先进制程工艺代工厂的入场券。至此,“中国芯”距离当前已经量产的最先进制程7nm仅相差两代,产品差距缩小到四年之内。 四年实现技术飞跃 作为中国大陆规模最大的集成电路芯片制造企业,中芯国际在2015年成功量产了28nm制程工艺芯片,并在短短四年实现了从28nm到14nm的飞跃,而台联电为此耗费了整整5年。 技术快速迭代,与中芯国际的高投入密切相关。2018年,中芯国际向荷兰ASML订购了一套EUV设备(极紫外线光刻机),据传是当时最昂贵和最先进的芯片生产工具,价值高达1.2亿美元,2019年初,这一设备已经如期交付。 据ASML官网介绍,这台价值1.2亿美元的设备,能够支持精细到5nm工艺节点的批量生产,拥有每小时155片的300mm尺寸晶圆雕刻能力。这为中芯国际成功实现14nm量产提供了关键设备支撑。在顶尖光刻设备的加持之下,可以想见,中芯国际距离12nm、10nm甚至7nm的时代也不会太遥远。 据公开报道,中芯国际14nm芯片目前已有超过10个流片客户,其中有车用芯片客户流片,并通过了车用标准Grade 1的测试门槛,众所周知,车用市场对芯片品质门槛要求最高。 对于全球大型芯片制造厂商而言,28nm芯片技术已经非常成熟,产能显得有些过剩。而在另一端,10nm以下制程技术则非常尖端,行业玩家只剩下金字塔尖的台积电、三星和英特尔。 而居于两者中间位置的14nm显然成为了中坚力量,成为绝大多数中高端芯片的主要制程。 有数据统计,在2019年上半年,整个半导体销售市场规模约为2000亿美元,其中65%芯片采用14nm制程工艺,仅10%左右的芯片采用7nm,25%左右采用10nm和12nm,14nm可以说是当下应用最广泛、最具市场价值的制程工艺。 随着5G和AIoT时代的到来,特别是在智慧城市、自动驾驶、安防物联网等领域各项产品日趋丰富,芯片也逐渐专注于针对特殊场景的优化,专用芯片即将迎来“百花齐放”的物种大爆发时代,广泛的AIoT场景,将让14nm制程的芯片拥有庞大的市场空间。 目前,国内已经有超过20家企业投入AI芯片的研发中来。而中芯国际对于关键制程的把控,意味着国内芯片设计企业和AI公司在应用14nm芯片产品方面获得更多的自主能力,从而实现真正完全的“中国智造”。