登录
 机构网站
  1. 首页
  2. 情报产品
  3. 快讯详情

《Infinera在800Gbs光学引擎中利用Tower的SiGe BiCMOS》

  • 来源专题：集成电路
  • 编译者： Lightfeng
  • 发布时间：2020-05-31

  • 数字光网络系统的垂直集成制造商Infinera Corp的800G第六代无限容量引擎（ICE6）选用了Tower Semiconductor的Terabit硅锗（SiGe）BiCMOS平台，该引擎是Infinera集成了基于磷化铟（InP）的光子集成电路。

    ICE6的800Gb / s单波长为网络运营商增强了功率和光纤容量优势，使他们能够经济高效地满足其网络带宽不断增长需求。ICE6光学引擎是Infinera光学创新中心的最新创新，采用紧凑型数字相干光学（DCO）封装设计，可以轻松集成到各种网络平台中。1.6Tbs光学引擎支持两个800G波长，与竞争解决方案相比，表现出显着优越的性能，为网络运营商提供了增值服务。

    Tower的SBC18 Terabit SiGe BiCMOS平台针对高速网络应用进行了优化，可提供速度超过300GHz的晶体管，这是一个强大的工具，可以用来设计速度为100Gbps、400Gbps和800Gbps的高性能电信和数据通信光网络。SiGe平台还经过量身定制，可为6GHz以下和毫米波频段的高频无线通信提供最高性能，例如汽车雷达、卫星通信和5G。

    Infinera光模块开发高级副总裁Ray Milano博士说：“Infinera始终利用一流的技术来实现行业领先的系统性能。这包括Infinera行业领先的磷化铟（InP）光子集成电路（PIC）和Tower的用于高带宽驱动器和接收器电路的先进硅锗（SiGe）。”

    Tower模拟IC业务部高级副总裁兼总经理Marco Racanelli博士说：“我们与Infinera团队的合作使两家公司在光传输市场领域取得了重要成果。Tower继续向市场推出尖端技术和相应的制造能力，以服务快速增长的数据传输市场。”

168浏览量
原文链接
相关报告

  • 《Infinera宣布推出高容量双通道800gb/s 波光传输的第六代无限容量引擎》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：shenxiang
    • 发布时间：2019-02-20
    • 美国加利福尼亚州森尼维尔的Infinera公司是一家垂直集成的数字光网络系统制造商，该公司拥有自己的基于磷化铟（INP）的光子集成电路（PICS），已推出第六代无限容量引擎（ICE6），用于大容量双通道800 gigabits/s（800G）的波光传输。 作为无限网络的一部分，ICE6以Infinera的ICE4和即时带宽为基础，采用每秒1.6terabits/s（1.6t）的光学引擎，为网络运营商提供无缝路径，以满足带宽增长和日益动态、不可预测的流量。 ICE6封装在一个跨平台的数字相干模块中，结合了Infinera的第六代光子集成电路（PIC）及其内部7nm柔性相干数字信号处理器（DSP）技术。ICE6 PIC现已上市，将在美国加利福尼亚州圣地亚哥举行的光网络与通信会议与展览（OFC 2019）上首次展出（3月5日至7日）。flexcoordinate 6 DSP将于2019年第三季度推出，年底前将推出完整的ICE6光学引擎，2020年下半年将推出由ICE6提供动力的平台。 像800G这样的高波特率传输在模块设计中有非常严格的公差。Infinera认为，通过使用革命性的奈奎斯特副载波、深度垂直集成和掌握磷化铟（INP）光子学，它具有独特的位置，能够提供行业领先的800G解决方案。该公司声称，该公司拥有第二代概率星座成形引擎，由7nm技术和一套综合的相干技术工具包提供动力，每根光纤可提供高达45%的最大容量、简化的操作和最低的总拥有成本。 “从历史上看，Infinera在光子集成领域一直处于领先地位，在内部开发解决方案方面处于领先地位，以大量出货的多代相干引擎为例，”市场研究公司Cignal Ai的光网络主管分析师Andrew Schmitt评论道。他补充说：“ICE6应该表现出类似的领导地位，其光学性能水平能够为网络运营商提供更大的容量和覆盖范围。” 创始人兼首席创新官戴夫•韦尔奇博士说：“Infinera继续利用ICE6引领行业创新，提前向市场提供首个连贯的每波800G解决方案。”“与ICE4的推出类似，ICE6将通过提供内部设计的尖端技术来改变市场，使网络运营商能够在优化成本的同时快速响应对容量的永不满足的需求。”
    262浏览量
    原文链接

  • 《X-FAB和IHP合作开发SiGe BiCMOS和RF-SOI技术》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：Lightfeng
    • 发布时间：2021-03-20
    • X-FAB和IHP宣布建立行业学术合作伙伴关系，将X-FAB在半导体制造方面的专业经验与IHP的无线通信专业技术结合在一起，目的是交流知识，互惠互利。X-FAB是全球领先的模拟/混合信号和微机电系统（MEMS）芯片代工厂集团，专门制造用于汽车、工业、消费级、医疗及其他应用领域的硅晶片。IHP是德国高性能微电子莱布尼茨微电子创新研究所（IHP）的简称，位于奥得河畔的法兰克福,是一家拥有300名员工的德国研究所。 IHP的有源器件将直接集成到X-FAB的130nm XR013射频绝缘体上硅（RF-SOI）工艺的线路后端（BEOL），该工艺以Cu和厚铜为基础的金属化为特色，以及性能无源元件，例如电感器和变压器。这种集成意味着可以尝试下一代无线系统概念。 正在进行的合作工作的另一个重点是硅锗（SiGe）双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）技术的开发。这方面的基础将是IHP的SiGe异质结双极晶体管。这些晶体管具有强大的性能参数，对于SG13S-Cu，fT / fmax值高达250 / 340GHz，SG13G2-Cu的fT / fmax值高达300 / 500GHz。所采用的3μm厚的低损耗铜互连也将被证明对提高RF性能水平很有价值。 通过IHP和EUROPRACTICE联盟提供了针对RF-SOI和SiGe BiCMOS技术的原型服务。IHP和X-FAB开发的技术将有机会用于光电子和5G无线通信系统，以及创新雷达的实现。 X-FAB射频技术总监Greg U’Ren博士说:“对于包括5G在内的许多无线应用来说，SiGe BiCMOS仍然是一个很有吸引力的前景，因为它可以在硅基平台上集成高性能射频。IHP和X-FAB都意识到了这里的巨大潜力。我们正在研究的技术是利用每个合作伙伴各自优势的协同关系的成果。” 国际水文计划科学主任教授Gerhard Kahmen评论说：“X-FAB作为欧洲领先的半导体制造商之一，我们非常高兴能其合作。这种合作关系使我们能够将一流的研究转移到商业应用中，为下一代高性能射频系统奠定基础，如400G数据通信、60-300GHz雷达和sub-THz成像。”
    272浏览量
    原文链接