香港科技大学（HKUST）开发了轴硅基磷化铟（InP）模板，用于发射1.5μm的铟砷（InAs）量子点（QD）激光二极管。
研究人员希望这种C波段（1530-1565nm）激光器可以降低硅光子（SiPh）光电子电路成本。
该团队使用轴上（001）取向的Si，这是主流互补金属氧化物半导体（CMOS）电子器件的首选基板材料。C波段发射覆盖了中长途光纤和商用掺铒光纤放大器（EDFA）的低损耗范围。在光学性能和缺陷容限方面，QD结构优于量子阱。
该团队评论到：“通过采用隧道注入结构，现在工作将首先集中于有关连续波（CW）操作方面，其中QD通过超薄InAlGaAs屏障与InGaAs QW分离，以提高载体注射效率，增加InGaAs中间层中的铟组分以引入更大的应变场，将有利于增强位错过滤。”
