美国HRL实验室表示其团队研究的超线性GaN HEMT，达到并超过了美国国防高级研究局（DARPA）的动态范围增强型电子和材料（DREaM）项目中预设的性能，该项目旨在改善毫米波（mm-wave）电子产品的动态范围。
特别是，HRL展示了这种器件具有记录线性度（输出三阶截取功率与直流功耗之比）的低噪声氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。在30GHz时达到了20dB的OIP3 / PDC，是传统GaN HEMT的10倍。同时，HRL的DREaM GaN晶体管在30GHz时显示出超过70％的功率附加效率（PAE），相对于其他毫米波T型栅极AlGaN / GaN HEMT器件的报告而言具有巨大的改进。
研究人员正在努力开发用于毫米波频率的先进超线性GaN晶体管，该晶体管能够进行发射和接收，并且不会在电磁频谱上产生失真。DREaM项目的超线性GaN HEMT能够以更高的数据速率实现安全的超宽带通信，同时减少舰船、飞机或卫星等最终用户平台的功耗。
达到最初的目标后，DARPA现在将把DREaM计划带入第二阶段。 DARPA希望将放大器的性能目标设定为更具挑战性的94GHz，希望实现宽带低噪声放大器，并考虑到最终用户的雄心勃勃。
HRL的团队还包括工程师Bob Grabar、Joel Wong、Mike Antcliffe、Erdem Arkun、Isaac Khalaf、Peter Chen、Chuong Dao、Andrea Corrion和Dave Fanning。这项工作由美国空军（FAF）根据合同编号FA8650-18-C-7802进行支持。
