美国明尼苏达大学双子城分校的研究团队在《Advanced Materials》期刊上发表了一篇新研究，揭示了一种能够提高计算机存储速度和能效的新材料。这项研究还获得了技术专利。随着技术的发展，对新兴存储技术的需求不断增加，研究人员希望找到能在低能耗下高效运行的替代或补充材料，以提高日常技术的功能性。 该团队发现了一种更高效的方法来控制微小电子设备中的磁化，这种材料名为Ni?W（镍和钨的合金）。研究发现，这种低对称性材料能产生强大的自旋轨道转矩（SOT），这是下一代存储和逻辑技术中操控磁性的关键机制。
论文的共同通讯作者、明尼苏达大学双子城分校的Jian-Ping Wang教授表示，Ni?W可以显著降低写入数据时的能耗，潜在地减少电子设备如智能手机和数据中心的电力消耗，使未来的电子产品更智能、更可持续。 与常规材料不同，Ni?W可以在多个方向上产生自旋电流，实现无需外部磁场的“无场”磁状态切换。Ni?W由常见金属制成，可通过标准工业流程生产，这使其具有低成本和高可行性的优势。
