瑞典的研究人员在碳化硅（SiC）上开发了更薄的III族氮化物结构，以期获得高功率和高频薄的高电子迁移率晶体管（T-HEMT）和其他器件。新结构采用高质量的60nm无晶界氮化铝（AlN）成核层，而不是大约1-2μm厚的氮化镓（GaN）缓冲层，以避免大面积扩展缺陷 成核层允许高质量的GaN在0.2μm内生长。
通常厚的缓冲层用于转变和减少由GaN和SiC之间3.5％晶格失配引起的缺陷，但厚层为高功率和高频设备带来了问题。
来自SweGaN AB查尔姆斯理工大学和林雪平大学的团队评论说：“较薄的器件具有较低的热阻，从而改善热管理。所需昂贵材料的减少也是工作的一大吸引力，我们的研究人员估计，包括前体和气体在内的原材料减少了90％，同时所需的生长时间减少，处理成本因此降低。”
