《意法半导体（ST）集团打破20nm的障碍，为下一代MCU提供成本竞争力》

• 来源专题：新一代信息技术
• 编译者： isticzz2022
• 发布时间：2024-03-21
• 原文来源：https://www.newelectronics.co.uk/content/news/st-breaks-the-20nm-barrier-for-cost-competitive-next-generation-mcus

       意法半导体（ST）集团宣布了一项基于18nm全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）技术的先进工艺，该技术具有嵌入式相变存储器（ePCM）。这种由ST和三星代工厂共同开发的新工艺技术旨在支持下一代嵌入式处理设备，为嵌入式处理应用提供了他们所谓的“性能和功耗的飞跃”，同时允许更大的内存尺寸和更高水平的模拟和数字外设集成。

       基于新技术的首个下一代STM32微控制器将于2024年下半年开始向选定客户抽样，计划于2025年下半年投产。意法半导体微控制器、数字IC和RF产品集团总裁Remi El-Ouazzane评论道：“意法半导体率先将FD-SOI和PCM技术引入汽车和航空航天应用领域，并将其带给我们的客户。我们现在正采取下一步行动，从下一代STM32微控制器开始，将这些技术的优势带给工业应用开发人员。”与目前使用的ST 40nm嵌入式非易失性存储器（eNVM）技术相比，采用ePCM的18nm FD-SOI显著提高了关键品质因数：

• 性能与功率比提高50%以上。
• 非易失性存储器（NVM）密度提高了2.5倍，实现了更大的片上存储器。
• 数字密度提高三倍，用于集成数字外围设备，如人工智能和图形加速器以及最先进的安全和安全功能。
• 噪声系数改善3dB，可增强无线MCU中的RF性能。
• 该技术能够以3V运行，提供电源管理、复位系统、时钟源和数字/模拟转换器等模拟功能，目前是唯一支持此功能的亚20nm技术。
• 该技术还具有更高的可靠性，这得益于其坚固耐用的高温运行、抗辐射性和数据保持能力，这些能力已在汽车应用中得到验证。

       大内存支持边缘人工智能处理、多协议射频栈、无线更新和高级安全功能不断增长的需求。高性能和大内存容量也将使开发人员可以选择在其设计中使用集成度更高、成本效益更高的微控制器。这将使超低功耗设备的能效进一步提高。第一个基于该技术的微控制器将集成ARM Cortex-M内核，为机器学习和数字信号处理应用提供增强的性能。它将提供快速灵活的外部存储器接口、先进的图形功能，并将集成众多模拟和数字外设。它还将拥有ST最新MCU上已经引入的先进、经过认证的安全功能。