香港科技大学（HKUST）一直致力于在硅（Si）衬底上直接生长磷化铟（InP）技术，为的是能在低成本平台上实现光电子单片集成。
激光与轴上硅的集成是用于光子集成电路和光纤大规模网络互连的有效的、复杂的互补金属氧化物半导体（CMOS）电子器件，它为当今的通信技术提供了动力。希望单片集成将降低晶圆键合所需的额外处理所产生的成本，并且还允许使用较大直径的基板来实现规模经济。
V型槽Si通过用氢氧化钾溶液透过二氧化硅（SiO2）掩模进行蚀刻而形成。平行条纹以130nm间距制成。制备了具有800°C自然解吸的MOCVD硅表面。
激光二极管的III-V生长于在400℃的沟槽的面上的10nm GaAs浸润层。发现润湿层避免了不均匀性和大的InP簇，这可能对进一步生长和聚结成薄膜有害。
