登录
 机构网站
  1. 首页
  2. 情报产品
  3. 快讯详情

《第三代半导体技术和人才储备再上新台阶 华灿光电博士后工作站正式挂牌》

  • 来源专题：光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者： husisi
  • 发布时间：2019-12-04

  • 11月21日，华灿光电（浙江）有限公司浙江省博士后工作站（以下简称：华灿光电博士后工作站）授牌仪式在华灿光电科研楼举行。义乌市人社局朱德友副局长、童欢副局长、高新区管委会张昱副主任等相关领导出席会议。华灿光电集团名誉董事长周福云先生代表华灿光电（浙江）有限公司从市人社局朱德友局长手中接过华灿光电博士后工作站站牌，这标志着华灿光电在第三代半导体领域的技术和人才储备又上了一个新台阶。

    义乌市人社局朱德友副局长表示，博士后工作站是高层次人才的培养基地，华灿光电具有良好的人才资源，此次在华灿光电设立博士后工作站，希望华灿能充分发挥自身优势、深化合作领域、拓展合作空间，积极发掘高层次人才的聪明才智，努力促进经济优势与知识优势有机结合，希望华灿光电博士后工作站在具备国内一流科研环境的基础之上能引进更多优秀的博士入站，力争早日取得国家级博士后工作站。高新区管委会张昱副主任在会上也表达了对华灿光电博士后工作站的支持与期望。

    华灿光电博士后工作站的正式挂牌对公司进培养高层次创新人才、加强产学研合作、推动成果产业化和校企联合的品牌效应方面具有重要意义，公司将认真落实国家关于博士后工作的有关制度和政策，切实加强博士后工作站的建设，培养造就复合型和创新型的青年人才队伍，促进公司技术创新和核心竞争力的提升。工作站后续将为企业持续创新注入新的血液，利用公司的科研优势在第三代半导体的前瞻性技术领域积极探索开发，不断拓宽产品方向。

61浏览量
原文链接
相关报告

  • 《由第三代半导体电力电子技术路线图引发的思考》
    • 来源专题：中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
    • 编译者：姜山
    • 发布时间：2018-08-10
    • 7月31日，国内首个《第三代半导体电力电子技术路线图》正式发布。该路线图是由第三代半导体产业技术创新战略联盟组织国内外众多大学、科研院所、优势企业的知名院士、学者和专家，历时1年多共同编写而成。 据悉，《第三代半导体电力电子技术路线图》围绕电力电子方向，主要从衬底/外延/器件、封装/模块、SiC应用、GaN应用等四个方面展开论述，提出了中国发展第三代半导体电力电子技术的路径建议和对未来产业发展的预测。 半导体产业进入第三个阶段 半导体产业发展至今经历了三个阶段，第一代半导体材料以硅（Si）为代表，以砷化镓（GaAs）为代表的第二代半导体材料和以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）等宽禁带为代表的第三代半导体材料。相较前两代产品，第三代半导体的性能优势非常显著且受到业内广泛好评。 以GaN、SiC为代表的第三代半导体材料最大的优点在于能够适应高压，高频和高温的极端环境，性能大幅提升。由于SiC和GaN的禁带宽度远大于Si和GaAs，相应的本征载流子浓度小于Si和GaAs，宽禁带半导体的最高工作温度要高于第一、第二代半导体材料。击穿场强和饱和热导率也远大于Si和GaAs。因此，它们是5G时代基站建设的理想材料。 电力电子应用 当今，许多公司都在研发SiC MOSFET，领先企业包括美国科锐（Cree）旗下的Wolfspeed、德国的SiCrystal、日本的罗姆（ROHM）、新日铁等。而进入GaN市场中的玩家较少，起步也较晚。 SiC的电力电子器件市场在2016年正式形成，市场规模约在2.1亿~2.4亿美金之间。而据Yole最新预测，SiC市场规模在2021年将上涨到5.5亿美金，这期间的复合年均增长率预计将达19%。 全球已有超过30家公司在电力电子领域拥有SiC、GaN相关产品的生产、设计、制造和销售能力。2016年SiC无论在衬底材料、器件还是在应用方面，均有很大进展，已经开发出耐压水平超过20KV的IGBT样片。 各国的发展策略 美、日、欧等国都在积极进行第三代半导体材料的战略部署，其中的重点是SiC。作为电力电子器件，SiC在低压领域如高端的白色家电、电动汽车等由于成本因素，逐渐失去了竞争力。但在高压领域，如高速列车、风力发电以及智能电网等，SiC具有不可替代性的优势。 美国等发达国家为了抢占第三代半导体技术的战略制高点，通过国家级创新中心、协同创新中心、联合研发等形式，将企业、高校、研究机构及相关政府部门等有机地联合在一起，实现第三代半导体技术的加速进步，引领、加速并抢占全球第三代半导体市场。 例如，美国国家宇航局（NASA）、国防部先进研究计划署（DARPA）等机构通过研发资助、购买订单等方式，开展SiC、GaN研发、生产与器件研制；韩国方面，在政府相关机构主导下，重点围绕高纯SiC粉末制备、高纯SiC多晶陶瓷、高质量SiC单晶生长、高质量SiC外延材料生长这4个方面，开展研发项目。在功率器件方面，韩国还启动了功率电子的国家项目，重点围绕Si基GaN和SiC。 发达国家第三代半导体材料政策如下图所示： 可见，全球SiC产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势。其中美国全球独大，居于领导地位，占有全球SiC产量的70%~80%；欧洲拥有完整的SiC衬底、外延、器件以及应用产业链，在全球电力电子市场拥有强大的话语权；日本则是设备和模块开发方面的绝对领先者。 中国由于在LED方面已经接近国际先进水平，为第三代半导体在其它方面的技术研发和产业应用打下了一定的基础。 中国发展状况 中国开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚，与国外相比水平较低，阻碍国内第三代半导体研究进展的重要因素是原始创新问题。国内新材料领域的科研院所和相关生产企业大都急功近利，难以容忍长期“只投入，不产出”的现状。因此，以第三代半导体材料为代表的新材料原始创新举步维艰。 虽然落后，我国也在积极推进，国家和各地方政府陆续推出政策和产业扶持基金发展第三代半导体相关产业：地方政策在2016年大量出台，福建、广东、江苏、北京、青海等27个地区出台第三代半导体相关政策（不包括LED）近30条。一方面，多地均将第三代半导体写入“十三五”相关规划，另一方面，不少地方政府有针对性对当地具有一定优势的SiC和GaN材料企业进行扶持。 据CASA统计，2017年我国第三代半导体整体产值约为6578亿（包括照明），同比增长25.83%。其中电力电子产值规模接近10亿元，较上年增长10倍以上。 此次发布的国内首个《第三代半导体电力电子技术路线图》的机构是第三代半导体产业技术创新战略联盟，该联盟虽然是由相关科研机构、大专院校、龙头企业自愿发起的民间产业机构，但是，其实背后是国家科技部、工信部以及北京市科委鼎力支持下成立的，其发布的路线图在一定程度上代表了国家对于半导体产业发展方向的指引。 从联盟的成员来看，也对国内半导体产业发展起着举足轻重的作用，理事会提名中国科学院半导体研究所、北京大学、南京大学、西安电子科技大学、三安光电股份有限公司、国网智能电网研究院、中兴通讯股份有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、山东天岳先进材料科技有限公司等创新链条上的重要机构作为副理事长单位。 国内企业方面，在LED芯片领域已有深厚积累的三安光电，在第三代半导体材料的研发投入达到了330亿元。 除三安光电外，扬杰科技、国民技术、海特高新等多家上市公司均开始布局第三代半导体业务。 扬杰科技曾向投资者透露，其SiC芯片技术已达到国内领先水平。海特高新通过其子公司海威华芯开始建设6英寸的第二代/第三代集成电路芯片生产线。中车时代电气（中国中车子公司）在高功率SiC器件方面处于国内领先。国民技术也开始布局这个领域，其全资子公司深圳前海国民公司与成都邛崃市人民政府签订了《化合物半导体生态产业园项目投资协议书》，研发第三代半导体外延片。 此外，华润华晶微电子和华虹宏力也是发展第三代半导体材料的代表企业。 大家知道，仙童半导体已经被安森美收购。而其在2016年1月5日宣布，将考虑华润微电子与华创投资的修订方案。在新方案中，中国资本愿以每股21.70美元的现金收购仙童，这一价格远远高于安森美提出的每股20美元。 遗憾的是，由于美国政府对中国企业并购的限制，中国人的高价橄榄枝并没有获得通行证，仙童还是选择了同在美国的安森美，让后者跃居全球功率半导体二当家。 曾经距离收购仙童半导体那么近，从中可以看出华润微电子在布局先进功率器件方面的决心和力度。华润华晶微电子是华润微电子旗下从事半导体分立器件的高新技术企业，在国内，其功率器件的规模和品牌具有一定优势。该公司实现了先进的FS工艺，在该基础上开发了平面和沟槽产品，具有低损耗，低成本的优势。 结语 全球都在加码第三代半导体技术和材料的研发工作，中国自然也不甘落后。此次，《第三代半导体电力电子技术路线图》的发布，可以帮助行业和企业把握技术研发和新产品推出的最佳时间，帮助政府更好明确技术研发战略、重点任务、发展方向和未来市场，集中有限优势资源为产学研的结合构建平台，能使利益相关方在技术活动中步调一致，减少科研盲目性和重复性，将市场、技术和产品有机结合。 据悉，继电力电子路线图之后，第三代半导体产业技术创新战略联盟还将陆续组织光电、微波射频等其他应用领域的技术路线图。 （原载微信公众号“半导体行业观察” 文/半导体行业观察 张健）
    145浏览量
    原文链接

  • 《第三代半导体发展正当时，GaN Systems再获投资》
    • 来源专题：光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者：husisi
    • 发布时间：2021-11-30
    • GaNSystems有限公司（GaNSystemsInc.，简称“GaNSystems”）是氮化镓（GaN）技术的领导者，主要从事GaN材料相关产品的设计、开发和生产，该材料以其晶体管性能和可靠性而著称。 目前，GaNSystems正在进行资本融资，以期加快GaN技术在汽车、消费者、工业和企业市场的开发和应用。据悉，该融资项目进展顺利，并于近日获得环旭电子、宏光半导体的投资。 GaNSystems获多家公司参与投资 据了解，GaNSystems的本轮融资由跨国知名策略投资者领军，并获得动力总成技术制造商等其他投资者支持，而其他现有投资者包括顶级汽车制造商等。 近日，宏光半导体、环旭电子同样宣布对GaNSystems进行投资。 其中，宏光半导体与SonnyWu先生（宏光半导体多家附属公司的董事及宏光半导体主要股东）共同向GaNSystems投资约2百万美元，并成为GaNSystems全球策略合作伙伴。 宏光半导体主要从事半导体产品的设计、开发、制造、分包服务及销售，包括LED灯珠、LED照明产品、快速电池充电产品及GaN相关产品。公司认为，本次投资GaNSystems，可以利用GaNSystems在GaN方面的丰富经验、资源及专业知识，帮助公司进一步发展及探索GaN半导体业务，以实现宏光半导体成为GaN半导体行业领先及创新参与者的业务目标。 该轮投资完成后，宏光半导体与GaNSystems将汇聚各自优势。其中，GaNSystems将为宏光半导体提供有关GaN器件制造的工艺界定及资格的专门技术支援，以实现同类最优良率的目标及目标资格；宏光半导体也将按照最惠国待遇基准，从GaNSystems获得有关互联网数据中心(IDC)电源系统、电动汽车(EV)及太阳能逆变器应用之参考设计的技术支援。同时，宏光半导体还可使用GaNSystems部分GaN技术，以制造其半导体元件。 而环旭电子的全资子公司环鸿电子则与GaNSystems签订了一份股份认购协议，并成为GaNSystems新一轮融资的战略投资者。 此外，环旭电子还和GaNSystems签订了一份战略业务协议。根据协议，双方将在氮化镓功率电子领域共同投入研发资源。未来，双方将展开紧密的合作，将先进的GaN电力电子产品推向市场，尤其是电动汽车电源模块市场。 第三代半导体加速发展 氮化镓与碳化硅同为第三代半导体的主要代表材料。相比于第一代及第二代半导体材料，第三代半导体材料在高温、高耐压以及承受大电流等多个方面具备明显的优势，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。 其中，氮化镓作为一种无机物，其发展对于新能源汽车产业、5G通信产业、消费电子产业等诸多产业有着重要的影响。因此，氮化镓已经成为科技时代下全球主要国家的科技攻关重点方向，是资本热捧的主要领域之一。 产业链方面，氮化镓各环节仍以欧美企业为主，如Wolfspeed、住友电气、三菱化学、富士通等，而中国企业则正在积极推动。 其中，三安光电是化合物半导体龙头企业，目前LED主业逐渐趋稳，格局优化、产能出清，并在砷化镓、氮化镓、碳化硅及滤波器等领域积极布局； 华灿光电的氮化镓基电力电子器件团队已攻克相关技术及工艺难点，在多项关键工艺的单项试验已获得突破性进展； 兆驰股份旗下子公司兆驰半导体的氮化镓LED芯片正在逐步向MiniLED、背光、显示等应用领域覆盖； 纳微半导体于今年10月20日正式登陆纳斯达克，公司旗下的GaNFast产品已获得包括小米、OPPO、联想、DELL等多个品牌的认可； 台工研院则已开发应用于高频通讯的氮化镓半导体技术，并与相关学术机构进行磊晶技术研究、开发操作频率达320GHz的高频元件与100GHz的功率放大器模块等前瞻技术。 与此同时，我们需要意识到，尽管学术界和产业界均意识到第三代半导体材料对于第一、二代半导体材料的优势，但由于第三代半导体材料在制造设备、制造工艺与成本上的劣势，多年来，包括氮化镓在内，第三代半导体材料仍只是在小范围内得到应用，发展多年仍然处于初级阶段。 但我们同样相信，随着5G、新能源汽车、光伏储能等市场迅速发展，第三代半导体材料不可替代的优势将加速相关产品的研发，应用范围也将不断扩展；而随着制备技术的进步，需求拉动叠加成本降低，第三代半导体材料的时代即将到来，国内相关企业也将受益于此。
    206浏览量
    原文链接