二维（2D）材料由于其独特的结构和与有前途的应用和基础研究相关的奇特性质而引起了极大的兴趣。将2D材料的维度降低到其1D纳米结构中对于新性质的开发也是非常期望的并且提供新的研究机会。在这项工作中，我们展示了通过化学气相沉积（CVD）在石墨烯基板上自下而上合成二硫化钼（MoS2）纳米带，方法是将生长参数精确调整为富硫条件。 MoS2纳米带主要由CVD生长的MoS2薄片沿扶手椅（AC）方向形成。原子分辨率ADF-STEM成像表征显示在MoS 2纳米带的边缘处交替存在钼和硫磺之字形边缘终止。在纳米带的顶点处，硫终止的锯齿形边缘成为主导。综合考虑这些结果，我们揭示了MoS2纳米带的潜在生长机制。还通过制造背栅效应晶体管（FET）来测量MoS 2纳米带的电子传输性质。纳米带FET呈现n型行为，在V DS = 1时电流开/关比高于104，载流子迁移率为1.39cm 2 V -1 s -1。这项工作提供了合成1D MoS2纳米带的新途径，这在制造其他2D材料衍生的1D纳米结构方面具有巨大潜力。
——文章发布于2019年4月4日
