随着存储器瓶颈成为现代系统中的一个主要问题——片上系统（SoC）。片上嵌入式存储器的尺寸不断增加，在人工智能（AI）和机器学习（ML）等一些应用中达到SoC总不动产的75%，标准静态随机存取存储器（SRAM）技术被证明是非常低效的，并且在10nm以下的现代工艺技术中面临着重大的扩展困难。为了解决这些问题，RAAAM开发了增益单元随机存取存储器（GCRAM）技术，这是一种片上存储器解决方案，只需要3个晶体管来存储一位数据，而现有的基于SRAM的最高密度存储器技术需要6-8个晶体管。
RAAAM联合创始人兼首席执行官Robert Giterman表示：“GCRAM解决方案将面积减少了一半，功耗减少了五倍，并且可以使用标准CMOS工艺进行经济高效的制造。我们的GCRAM技术已在硅的各个节点上成功验证，包括领先铸造厂的Bulk CMOS、FD-SOI和FinFET工艺。RAAAM目前的目标是将其GCRAM存储器技术迁移到小于5纳米的节点，并根据行业标准使其完全符合生产条件。”
RAAAM由巴伊兰大学和瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）的四位博士创立，专门从事超大规模集成电路（VLSI）设计。其中一位投资者、Serpentine Ventures首席信息官Michael Stucky评论道：“RAAAM正在引入一种新的片上存储器类别，以一种更高密度和更低功率芯片的新方法改变硅行业。”
