美国NEO Semiconductor公司基于氧化铟镓锌(IGZO)材料推出两项全新的3D X-DRAM单元设计——1T1C和3T0C。新设计分别采用单晶体管单电容和三晶体管零电容的架构,通过堆叠设计在保持节能状态的同时显著提高容量和吞吐量。
3D X-DRAM是一种改变DRAM游戏规则的技术,利用类似3D NAND的单元结构来实现卓越的密度、能效和可扩展性。创新单元利用了改进的3D NAND闪存工艺,显著降低了开发复杂性和成本,同时将DRAM密度提高了10倍。此外,这些设计消除了对TSV(硅通孔)的需求,并允许使用混合键合技术,该技术可以将带宽扩展到16倍,同时显著降低功耗和热量产生,使其成为人工智能应用的革命性创新。
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