国内首家6英寸化合物半导体晶圆代工厂三安集成电路有限公司宣布，将在全球范围内提供宽带隙电力电子器件代工服务，包括650V和1200V碳化硅(SiC)器件以及650V氮化镓(GaN)功率高电子迁移率晶体管（HEMTs）。在其母公司三安光电丰富的批量生产化合物半导体的制造经验基础上，三安集成开始建立自己的宽禁带半导体电力电子领域产品的生产线。
三安集成有意促进GaN和SiC技术的发展。凭借全面的电力电子铸造服务，大规模生产的经验以及对质量和安全标准的把控，三安集成电路致力于与以下应用领域合作：电动汽车（EV）和混合电动汽车（HEV）；具有功率因数校正（PFC）的不间断电源（UPS）；电源适配器和电池充电；光伏逆变器和储能；电机驱动器。
2019年6月，三安集成电路发布了G06P111，这是一种通过JEDEC认证的标准650V增强模式HEMT（E-HEMT）GaN工艺技术。自那时以来，三安集成已经开发了多个用于GaN工艺的多项目晶圆（MPW）穿梭线。利用三安集成的工艺设计套件（PDK）和电子代工服务，设计人员可以利用GaN器件的设计和性能，确保在批量生产之前进行首次正确设计。
今年的Sanan IC计划为更多的技术选择提供MPW运行，包括200V和100V低压E-HEMT工艺服务以及为大电流设计提供M3工艺，并计划开发其他技术，例如GaN集成电路和高度可靠的耗尽型（D-模式）金属-绝缘体-半导体场效应晶体管（D-MISFET），估计于今年晚些时候添加到Sanan IC的电源产品组合中。
