《加快产业发展 江苏徐州半导体重大项目观摩》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: husisi
  • 发布时间:2020-04-23
  • 近日,江苏徐州市举行一季度重大产业项目观摩点评会,掀起新一轮推进项目建设、加快产业发展新热潮。据金龙湖发布报道,2020年,江苏徐州经开区将实施“1090”重大产业项目108个,其中,包括5个省重在内的市级以上重点项目35个,总投资1159.4亿元,年度计划投资399.3亿元。
    天科合达碳化硅晶片项目
    北京天科合达半导体股份有限公司是专业从事第三代半导体碳化硅晶片研发、生产和销售的高科技企业,是国内第三代半导体碳化硅材料产业领域唯一一家在“新三板”挂牌的企业,在碳化硅衬底行业排名中国第一、全球第四。
    产品涵盖2-6英寸导电型、2-6英寸半绝缘型产品和宝石晶体,出口美、日、德、法、英等近二十个国家和地区,是我国少数进入国外知名大企业的高技术产品。
    项目入驻凤凰湾电子信息产业园A7厂房,总投资10亿元,建筑面积约2.6万平方米。新建碳化硅晶片及表面处理、封装等生产线,主要包括碳化硅单晶生长炉及其配套的切、磨、抛和检测等设备,年产碳化硅晶片6万片。
    项目于2020年3月底正式投产,2020年预计产值3亿元,利税5000万元。
    中科智芯晶圆级封装芯片项目
    江苏中科智芯集成科技有限公司由中国科学院微电子研究所、华进半导体封装先导技术研发中心联合上市公司合资成立,致力于集成电路高端先进封装技术研发与产业化。
    公司核心技术团队成员拥有承担国家重大专项课题的研发经验,攻关多项国家级科技项目,全面掌握集成电路先进封装领域的工艺制程、系统集成、设备材料等高尖和基础技术。特别是在晶圆级扇出型先进封装领域拥有自主知识产权。晶圆级扇出型封装无须使用印刷电路板,可直接在晶圆上实现芯片封装,在电气、热性能上表现卓越,封装器件轻、薄、小,成本更低。
    项目入驻凤凰湾电子信息产业园101厂房,总投资约9亿元,建筑面积4万平方米,一期年产12英寸晶圆级封装芯片12万片;二期建设净化厂房约3万平方米,年产12英寸芯片120万片。一期年产值4亿元,利税6200万元。
    目前,生产设备正在安装调试,预计2020年5月初正式投产。
    鑫晶半导体大硅片项目
    鑫晶半导体大硅片项目是由协鑫集团、国家和地方产业基金共同投资建设。项目拥有大量完全自主的知识产权,集聚全球行业顶尖技术人才200余人,主要技术、生产工艺和质量团队均居世界领先水平,具有国内唯一的14纳米以下硅片量产经验。
    2020年1月,通过国家发改委、工信部集成电路重大项目“窗口指导”审核,是全省唯一进入国家规划布局的12英寸硅片项目。
    项目一期投资68亿元,厂房面积45.4万平方米,建设国际先进的12英寸半导体大硅片长晶及切磨抛生产线,产品涵盖12英寸重掺、轻掺的测试片、抛光片、外延片,规划产能为360万片/年。
    项目建成后,将彻底打破国外行业巨头垄断的局面,徐州也将成为全国最大的半导体材料生产基地。
    目前,项目正在试生产,预计2020年10月量产,预计年销售超30亿元。
    新微半导体加速器项目
    新微半导体加速器坚持“人才集聚、产业前沿、重点培育”的发展理念,以培育高新技术创新集群为发展目标,围绕集成电路及ICT、创新型高端医疗器械等领域,重点招引具有较强抗风险和市场竞争力的行业“小巨人”企业。
    目前园区集聚来自美国、新加坡、马来西亚、台湾等国内外高层次人才53名,创业团队7个,多项技术在全球领先,填补国内空白,成为经开区战略性新兴产业发展的新高地。
    加速器建筑面积15.8万平方米,其中一期建筑面积6万平方米,已入驻富港电子、圣极基因、英迪那米、迅睿生物、光信电子等11家企业。
    新微半导体加速器二期预计2020年5月开工建设。

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  • 《发展先进材料产业 别再让重大项目“断奶”》

    • 来源专题:中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
    • 编译者:冯瑞华
    • 发布时间:2018-05-15
    • 先进材料是战略性新兴产业的发展基石,我国在这个领域发展现状却不尽如人意。5月11日在江苏常州大学建校40周年发展大会的院士论坛上,中国科学院院士解思深在接受科技日报记者采访时表示:“近年来,尽管我国先进材料取得了一系列新的发展,但从总体来看,在基础研究与应用上没有重大的突破,尤其是缺乏原创成果,与发达国家仍有很大的差距,仍不能完全满足国家和重点产业的需求。” 常州大学材料学院副院长魏伟告诉记者,目前,我国在电子、航空、能源等领域先进中高端材料与发达国家的差距,是由多方面因素造成的。过去,我们在先进材料的基础与应用研究方面,已经做了许多工作,但没有坚持做到底,致使基础理论与应用研究没有大的突破。 “先进材料领域基础研究与应用,是一个系统性的科学研究过程,不是仅靠单一的基本原理研究就能取得原创性突破。”解思深说,一些机构和企业,只注重眼前利益,忽视长期稳定的投入,缺乏长远的坚持,致使许多关键研究出现“断奶”现象,半途而废。 据介绍,我国先进材料起步晚,并长期受国外技术封锁,而且先进材料投入大、风险大,无论基础研究与应用技术问题,需求多学科配合解决。拿集成电路产业来说,这么多年,国家和地方投入也不少,但集成电路很多芯片仍依赖进口,仅去年进口芯片花费超过2600亿美元。 如何突破现状?常州大学校长陈群看来,我国亟待以先进材料支撑产业变革。因此,加快发展先进材料产业非常重要。高校应主动承担起为先进材料发展提供前沿性技术攻关、优秀人才培养、基础与应用研究支持的历史使命。同时,要通过推进产教融合,深化校地合作、校企合作,努力产出一批服务地方、服务行业的标志性成果。 解思深提出,我国在先进材料领域要取得重大突破,需要建立长期稳定的投入机制,有效解决好重大项目的“断奶”现象;要重视构建高端学术交流平台,优化创新环境、激发创新活力、整合创新资源,形成全方位、多层次、宽领域的科技合作格局;要重点鼓励一些有实力的科研院所、企业,加大共性关键技术的攻关,支持创新成果在产业的应用,推进先进材料不断走向高端,满足我国战略性新兴产业的需求。
  • 《总投资60亿 徐州市全力构建第三代半导体全产业链》

    • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者:husisi
    • 发布时间:2020-01-16
    • 近几年来,国家大力扶持半导体产业,5G商用化、新能源汽车等新兴应用的发展以及相关政策的出台均加速了化合物半导体的国产化进程。2019年,多个第三代半导体产业相继落地及开工建设。 去年12月初,浙江博蓝特就宣布拟在金华经济技术开发区建设年产15万片第三代半导体碳化硅衬底及年产200万片用于Mini/Micro-LED显示技术的大尺寸蓝宝石衬底研发及产业化的合作项目,总投资10亿元。 随后,杭州湾新区与中国电子信息产业集团有限公司全资子公司华大半导体有限公司共同投资的第三代半导体材料项目落户杭州湾新区。该项目计划年产8万片4吋至6吋碳化硅衬底及外延片、碳化硅基氮化镓外延片,产品可广泛应用于5G通讯、新能源汽车、轨道交通、智能电网等领域。 今年初,又有一个第三代半导体大项目集中开工。1月2日,江苏省委、省政府举行2020年全省重大产业项目建设现场推进会议,联动推动省市县三级近1500个重大产业项目开工建设。 徐州发布官方消息显示,徐州市首批136个项目参加全省重大产业项目集中开工,总投资782亿元,今年计划投资469亿元。其中,战略性新兴产业项目57个、投资372亿元;先进制造业项目62个、投资314亿元;现代服务业项目17个、投资96亿元。 随后,徐州市2020年重大产业项目集中开工暨天和通讯(徐州)第三代半导体产业基地开工活动在徐州举行。 据悉,天和通讯(徐州)第三代半导体产业基地项目,总投资60亿元、建筑面积42万平方米,全部达产后,5G高频滤波器将打破美国垄断,大功率LED芯片规模将达到全球第二位,必将为徐州构建第三代半导体全产业链、打造全国集成电路及ICT产业新高地提供强力支撑。