《台积电2nm工艺将采用环绕栅极晶体管技术》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: shenxiang
  • 发布时间:2020-10-20
  • 据国外媒体报道,在5nm工艺今年一季度投产,为苹果等客户代工最新的处理器之后,芯片代工商台积电下一步的工艺研发重点就将是更先进的3nm和2nm工艺。

    在7月16日的二季度财报分析师电话会议上,台积电CEO魏哲家透露,他们3nm工艺的研发正在按计划推进,仍将采用成熟的鳍式场效应晶体管技术(FinFET),计划在明年风险试产,2022年下半年大规模投产。

    与多次提及的3nm工艺不同,台积电目前并未公布太多2nm工艺的消息,在近几个季度的财报分析师电话会议上均未曾提及。

    虽然台积电方面未对外公布2nm工艺的消息,但外媒援引产业链人士透露的消息,还是进行过多次报道。

    在最新的报道中,外媒援引产业链消息人士的透露报道称,台积电2nm工艺的研发进展超出预期,快于他们的计划。

    这一消息人士还透露,台积电的2nm工艺,不会继续采用成熟的鳍式场效应晶体管技术,而会采用环绕栅极晶体管技术(GAA)。

    在此前的报道中,外媒提及的与台积电2nm工艺相关的信息,出现过两次,均是在8月底。其一是台积电已在谋划2nm工艺的芯片生产工厂,将建在总部所在的新竹科学园区,台积电负责营运组织的资深副总经理秦永沛,透露他们已经获得了建厂所需的土地。第二次是在上月底的台积电2020年度全球技术论坛上,他们透露正在同一家主要客户紧密合作,加快2nm工艺的研发进展,相关的投资也在推进。

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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:shenxiang
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    • 根据台积电的规划,他们今年上半年就会量产5nm EUV工艺,下半年产能会提升到7-8万片晶圆/月,今年的产能主要是供给苹果和华为。台积电的3nm工艺工艺今年也会启动建设, 三星更是抢先宣布了3nm GAA工艺 。 根据三星的说法,与5nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了约30%。 为了确保在5nm之后保持优势,三星、台积电都会投入巨额资金,去年,三星宣布了一项高达133万亿韩元(约合1118.5亿美元)的投资计划,目标是到2030年成为全球最大的“系统级芯片”( SoC)制造商。 台积电已经开始投建30公顷(30万平米)的新晶圆厂,投资195亿美元(约合1370亿元),计划2023年量产3nm。 3nm工艺也不是摩尔定律的终点,三星及台积电,还有Intel都在开展研究,只不过现在还很遥远,台积电最乐观的看法是2024年量产2nm工艺。 但是3nm及未来2nm、甚至1nm工艺,最大的问题不是技术研发,即便攻克了技术难题,这些新工艺最大的问题在于——没人用得起,为了解决工艺问题,这些公司会投入巨额资金研发,同时建设一座3nm或者2nm级别的晶圆厂都是百亿美元起的。 不光是晶圆代工厂要烧钱,芯片设计公司也要跟着烧钱,之前的报告显示7nm芯片研发就要3亿美元的投资了, 5nm工艺要5.42亿美元,3nm及2nm工艺还没数据,但起步10亿美元是没跑了 。 问题在于,等到3nm、2nm节点的时候,对这类高端工艺有需求并且能够控制住成本的公司就没几家了,现在的5nm工艺就只有华为、苹果这样的土豪公司才用得起了(AMD最快也要明年才有戏),再往下发展,3nm、2nm节点恐怕全球也没几家用得起了,相比先进工艺带来的性能、密度、功耗优势,直线上涨的成本才是问题。
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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:shenxiang
    • 发布时间:2019-08-31
    • 近日,据台湾地区《经济日报》报道,台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森表示,毋庸置疑的,摩尔定律依然有效且状况良好,它没有死掉、没有减缓、也没有带病,并透露晶体管将能做到0.1纳米。 1965年提出的摩尔定律(Moores Law)引领半导体发展超过半世纪,这个定律主要是指芯片上可容纳的晶体管数目,约每隔18个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。 但摩尔定律有没有走到极限?走到极限未来会是什么样的发展?这是近几年来全球科技界业讨论相当多的问题。 近几年,互补金属氧化物半导体(CMOS)先进制程中,最新几代纳米节点的功耗改善程度,已出现明显的放缓。科技界观察到,从45纳米到14纳米的节能数据可以看出,虽然每一代制程,芯片的面积变得越来越小,但能够达到的能耗缩减幅度却越来越小,尤其在14纳米初期最为明显。近二、三年进入更先进的10纳米制程,也有类似状况。这不禁让人忧心,摩尔定律是否即将走到尽头? 对此,在本周开幕的第31届HotChips大会专题演讲中,台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森表示,摩尔定律依然有效且状况良好。 对于未来的技术路线,黄汉森认为像碳纳米管(1.2nm尺度)、二维层状材料等可以将晶体管变得更快、更迷你;同时,相变存储器(PRAM)、旋转力矩转移随机存取存储器(STT-RAM)等会直接和处理器封装在一起,缩小体积,加快数据传递速度;此外还有3D堆叠封装技术。 黄汉森强调,社会对先进技术的需求是无止境的,他还强调,除了硬件,软件算法也需要迎头赶上。