近日，东南大学倪振华教授、吕俊鹏教授课题组利用等离子体原子结构改性，提出解决高注入下二维材料发光效率滚降问题的新思路，实现了二维材料高效光致与电致发光。相关成果以《基于插层过渡金属二硫化物的高注入下效率滚降被抑制的发光二极管》（Light-emitting diodes based on intercalated transition metal
dichalcogenides with suppressed efficiency roll-off at high generation rates）为题，发表在国际顶级学术期刊《Nature Electronics》上。
效率滚降一直是限制电致发光器件在高电流密度下实现峰值性能的主要因素。由于其优异的光电性能和良好的异质集成特性，二维材料在硅基片上光源系统中展现出巨大的应用潜力。然而，二维材料的强库仑作用使其在高电流密度下，激子之间表现出强烈的多体相互作用，从而诱发激子-激子湮灭并增强非辐射复合过程，进而显著降低荧光量子产率和电致发光器件的外量子效率。这些问题严重阻碍了二维材料在硅基片上光源中的实际应用。
针对这一难题，该团队开发了一种独特的氧等离子体插层技术，通过原子结构的改性设计，成功将少层间接带隙二维材料（MoS?和WS?）解耦为单层堆叠的直接带隙多量子阱结构。即使在高功率激光激发下，该结构的荧光量子产率依然保持稳定。通过实验验证与理论模拟，该团队证明了激子玻尔半径和激子扩散系数的显著降低，有效抑制了激子-激子湮灭效应，进而避免了插层体系中荧光效率的滚降。基于对上述物理特性和机制的深入理解，团队进一步构建了基于插层体系的电致发光器件，并打破了现有基于MoS?二维材料的电致发光器件外量子效率记录，为多层二维材料的硅基片上光源应用提供了新的思路。
