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《简讯 | 日本开发高精度制造半导体碳化硅的技术 目标2025年实现量产》

  • 来源专题：光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者： husisi
  • 发布时间：2021-12-01

  • 1、日本开发高精度制造半导体碳化硅的技术 目标2025年实现量产

    日本名古屋大学的宇治原彻教授等人开发出利用人工智能（AI）高精度制造新一代半导体使用的碳化硅（SiC）结晶的方法。这种方法能将结晶缺陷数量降至原来百分之一，提高半导体生产的成品率。2021年6月成立的初创企业计划2022年销售样品，2025年实现量产。

    2、印芯半导体获得A+轮融资

    近日，智能机器视觉识别图像传感器芯片研发商——广州印芯半导体技术有限公司宣布完成由云启资本领投的A+轮融资。据智慧芽数据显示，印芯半导体目前共有127件专利申请，近三年专利申请量呈现快速增长的趋势。该公司主要专注在图像传感器、像素单元、读出电路、传感器、像素阵列等技术领域。

    3、索尼首次推出自动驾驶激光雷达传感器

    索尼集团旗下的索尼半导体解决方案公司首次推出车用高性能激光雷达传感器，将于2022年3月开始供货。新产品IMX459在对角线6.25毫米的芯片上搭载约10万个10平方微米的像素，最远300米处的物体也能够以每15厘米为单位测量距离，价格为1枚1.5万日元（约合人民币835元）。

    4、华为公布新的芯片专利

    华为技术有限公司在近日公开了“芯片封装组件、电子设备及芯片封装组件的制作方法”专利，公开号为 CN113707623A。本申请通过设置芯片与封装基板的上导电层以及下导电层连接，从而芯片产生的热量可进行双向传导散热，并在上导电层上设置散热部，使得芯片封装组件能够达到更优的散热效果。

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相关报告

  • 《意法半导体与 Soitec 就碳化硅衬底制造技术达成合作》
    • 来源专题：光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者：husisi
    • 发布时间：2022-12-07
    • - 双方达成协议，将针对采用 Soitec 技术生产 200mm 碳化硅（SiC）衬底进行验证 - Soitec 关键的半导体技术赋能电动汽车转型，助力工业系统提升能效 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）与设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业法国 Soitec 半导体公司正式宣布，双方在碳化硅衬底领域的合作迈入新阶段，意法半导体将在未来 18 个月内对 Soitec 的碳化硅衬底技术进行验证，在未来的 200mm 衬底制造中采用 Soitec 的 SmartSiC™ 技术，助力器件和模块制造业务的发展，并有望在中期实现量产。 意法半导体汽车和分立器件产品部总裁 Marco Monti 表示：“汽车和工业市场正在加快推进系统和产品电气化进程，碳化硅晶圆升级到 200mm 将会给我们的汽车和工业客户带来巨大好处。随着产量扩大，提升规模经济效益是很重要的。作为一家半导体垂直整合制造商（IDM），我们可以在整个制造链中最大化地发挥独特的技术优势，覆盖从高质量衬底到大规模的前端和后端生产等环节。提高生产的良率和质量正是我们与 Soitec 开展技术合作的目的。” Soitec 首席运营官安世鹏（Bernard Aspar）表示：“电动汽车正在颠覆汽车行业的发展。通过将我们专利的 SmartCut™ 工艺与碳化硅半导体相结合，SmartSiC™ 技术将加速碳化硅在电动车市场的应用。Soitec 的 SmartSiC™ 优化衬底与意法半导体行业领先的碳化硅技术、专业知识相结合，将推动汽车芯片制造领域的重大变革，并树立新的行业标准。” 碳化硅是一种颠覆性的化合物半导体材料，拥有优于传统硅的特性，面向电动汽车和工业流程等领域的关键、高增长的功率应用，能够提供卓越的性能和能效。它可以实现更高效的电能转换、更轻量紧凑的设计，并节约整体系统设计成本，助力汽车和工业系统的成功。 从 150mm 晶圆发展到 200mm 晶圆，用于制造集成电路的可用面积几乎翻倍，而每片晶圆可提供比原先多 1.8 至 1.9 倍数量的有效芯片，这将促使产能得到大幅提升。 SmartSiC™ 是 Soitec 的专利技术。通过使用 Soitec 专利的 SmartCut™ 技术，可以剥离出高质量的碳化硅供体晶圆薄层，并将其键合到低电阻率的多晶硅操作晶圆上，助力改进器件的性能和生产良率。此外，优质的碳化硅供体晶圆可被多次重复利用，进而大幅降低生产的总能耗。
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  • 《住友矿山将量产新一代碳化硅功率半导体晶圆》
    • 来源专题：光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者：husisi
    • 发布时间：2022-01-19
    • 近日，住友矿山表示，计划量产新一代功率半导体晶圆，而且会使用自主研发的最新技术将价格降低10%到20%。住友矿山希望凭借这种新型碳化硅晶圆抢占美国科锐等领先企业的市场，使全球份额占比达到10%，预计2025年实现月产1万片。 住友矿山是全球最大的车载电池正极材料厂商，拥有物质结晶技术，现将利用其他业务所培育出的技术实力进入半导体材料领域。据了解，住友矿山所开发的技术是在因结晶不规则而导致价格较低的残次品“多晶碳化硅”上贴一层可以降低发电损耗的“单晶碳化硅”可将价格降低10%~20%。纯电动汽车的逆变器在采用这款新型晶圆所制成的碳化硅功率半导体时，能将电力损耗降低10%左右。通过提高功率半导体的性能，减小整个单个装置的尺寸，有利于延长纯电动汽车的续航里程。 从技术的角度来说，与硅基功率器件制作工艺不同，碳化硅器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上，需要在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，最后在外延层上制造各类器件。传统的碳化硅外延基于单晶衬底，以实现晶格匹配和降低缺陷密度（微管、位错、层错等），但是单晶碳化衬底制备的成本较高。“住友矿山可实现从多晶碳化硅衬底上外延单晶硅层材料，在技术与成本上具有明显的优势。”赛迪顾问集成电路中心高级咨询顾问池宪念向《中国电子报》记者表示。而成本方面，相对于硅基材料功率半导体，碳化硅功率半导体能够降低电力功耗，会是功率半导体产品领域未来具有发展潜力的竞品。此外，消费终端的生产对于价格十分敏感，住友矿山碳化硅新晶圆的成本能够降低1~2成，价格优势将会成为住友矿山有效的竞争力之一。 随着电动车对碳化硅功率半导体的需求日渐增长，这条新赛道上的竞争也越来越激烈。目前除了美国科锐外，美国II-VI公司及罗姆旗下的德国SiCrystal等也在涉足碳化硅半导体晶圆业务。 对于这项新技术是否可以帮助住友矿山抢占科锐市场的问题，池宪念认为，美国科锐公司是全球6/8英寸碳化硅单晶衬底材料可实现产业化的龙头公司，在市场和技术上具有领先优势。如果住友矿山的新一代碳化硅半导体晶圆材料能够通过下游厂商的验证，并实现量产，则其将成为美国科锐公司的有力竞争者。
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