中国研究人员使用薄膜和表面纳米结构将紫外（UV）发光二极管（LED）的性能提高了3.9倍。即在器件的厚铝氮化镓（AlnGaN）n侧上进行纳米结构化，这是通过将LED材料翻转到另一个晶片上并移除硅生长衬底来实现的。纳米结构设计用于减少由于III族氮化物材料（~2.4）和空气（1）之间的折射率的大对比而捕获光的全内反射，发光来自氮化铟镓（InGaN）多量子阱（MQW）。
苏州纳米技术与纳米仿生学研究所和中国科技大学的研究小组在（111）晶向上在硅上生长了UV LED结构。并进行了光线跟踪蒙特卡罗模拟，并选择了250纳米直径的SiO2纳米球来制作圆顶。模拟结果表明，最佳高度/直径（H / D）比为0.27，光提取效率为68％，而平坦表面为19％。
具有0.27 H / D比的纳米棒LED的集成电致发光实现了平坦参考设备的3.9倍的性能。模拟结果表明增加了3.6倍。研究人员还比较了扁平LED与具有“棒”，“梯形”和“锥形”纳米圆顶结构的器件的性能。通过不用反应离子蚀刻减少250μm直径的纳米球并且仅针对不同的处理时间执行电感耦合蚀刻来实现结构。
研究人员还研究了远场辐射模式，发现与扁平LED相比，纳米体可以向前发射更多的辐射。研究人员评论说：“这种现象对于H / D = 0.5的纳米体结构更为明显，表明纳米结构将促进沿垂直方向的光提取，这对UV固化和UV LED的其他相关应用特别有用。AlGaN纳米结构技术可以很容易地扩展到深紫外垂直LED，以增强光提取。”
