美国的Transphorm公司宣布推出第四代GaN平台，与前几代GaN相比，Transphorm的最新技术在性能、可设计性和成本方面均取得了进步。Transphorm还宣布，第四代及以后的平台将被称为SuperGaN技术。
Transphorm公司SuperGaN系列的TP65H300G4LSG是首款通过JEDEC认证的器件，是采用PQFN88封装的240mΩ650V GaN FET。第二个通过认证的SuperGaN器件是TP65H035G4WS，是采用TO-247封装的35mΩ650V GaN FET。这些设备目前正处于样品提供阶段，并将分别于2020年第二季度和第三季度上市。它们的目标应用包括适配器、服务器、电信、广泛的工业和可再生能源。系统设计人员可以在Transphorm的4kW无桥式图腾柱AC-DC评估板TDTTP4000W066C-KIT中评估这项技术。
该公司表示，新平台的专利技术带来的好处是可以增强Transphorm固有的GaN性能，并在组装和应用方面简化操作，这是SuperGaN品牌成功的催化剂。在其专利技术的驱动下，SuperGaN Gen IV的优势据说包括：
更高的性能：第四代产品的效率曲线更平坦、取值更高，其FOM优异度（RON * QOSS）改善了约10％；
更易于设计：第四代通过消除在高工作电流下对开关节点缓冲器的需求，提供了更高的设计简便性；
增强的浪涌电流能力（di / dt）：消除了半桥中内置续流二极管功能的开关电流限制；
降低设备成本：第四代产品的设计创新和专利技术同样简化了器件的封装，从而降低了成本，使TransphormGaN的价格更接近于硅晶体管；
经过验证的坚固性/可靠性：第四代35毫欧FET的栅极稳定性和抗扰度与Transphorm第三代器件相同，均为+/- 20 Vmax和4 V。
