《通过表面改性对碳点的光致发光的调制:从机理到白光发光二极管。》

  • 来源专题:纳米科技
  • 编译者: 郭文姣
  • 发布时间:2018-04-23
  • 碳点(CDs)由于其独特的光学优势而成为一种新型的荧光材料,如高光致发光量子产量(QYs)、极好的光稳定性、受激性的排放和低毒性。然而,CDs的光致发光机制尚不清楚,这限制了其进一步的实际应用。在这里,cd是通过一个从柠檬酸和尿素的溶剂热路线合成的。通过对原始cd的氧化还原处理,揭示了光致发光的来源及相关机理。我们发现,蓝色/绿色/红色的排放源来自三个不同的发射状态,即内在状态,C=O-和C= n相关的表面状态。根据已制备的cd,研制了一种基于辐射发光检测的pH传感器。此外,我们还构建了CD/PVP (PVP,聚乙烯吡咯烷酮)复合薄膜,其光致发光质量为15.3%。通过简单地改变PVP溶液的量,得到不同相关色温(CCTs)的白光发射,从4807 K到3319 K。受益于白色发光固态电影、单组分白色发光二极管是捏造的平均显色指数的价值(Ra)80.0,10.2 lm W−1的发光效率,和良好的工作稳定性,从而为实际照明指示一个有前途的潜在应用。

    ——文章发布于2018年4月13日

相关报告
  • 《钙钛矿量子点及其在发光二极管中的应用》

    • 来源专题:纳米科技
    • 编译者:郭文姣
    • 发布时间:2017-12-18
    • 钙钛矿量子点(PQDs)由于其独特的光学性质,如可调谐波长、窄发射和高光致发光量子效率(PLQY),近年来吸引了大量的关注。最近的研究报告的新类型formamidinium(FA)PbBr3 PQDs,PQDs与有机-无机混合阳离子,二价阳离子掺杂胶体CsPb1−xMxBr3 PQDs(M = Sn2 + Cd2 +,Zn2 + Mn2 +)部分阳离子交换、和多价阳离子掺杂PQDs(Bi3 +)。这些PQD类似物为光电器件提供了新的可能性。对于照明和背光显示的商业应用,PQDs的稳定性需要进一步改进以防止温度、氧气、湿度和光线的降低。氧和湿度促进离子迁移很容易蚀刻不稳定的PQDs。容易的离子迁移可能导致晶体生长,从而降低pqd的PLQY。表面涂层和处理是克服这些因素的重要步骤。本文介绍了PQDs的新类型和提高其稳定性的策略。最后,本文讨论了PQDs在发光二极管中的应用。 ——文章发布于2017年11月30日
  • 《紫外发光二极管性能的提高》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2019-04-14
    • 中国研究人员使用薄膜和表面纳米结构将紫外(UV)发光二极管(LED)的性能提高了3.9倍。即在器件的厚铝氮化镓(AlnGaN)n侧上进行纳米结构化,这是通过将LED材料翻转到另一个晶片上并移除硅生长衬底来实现的。纳米结构设计用于减少由于III族氮化物材料(~2.4)和空气(1)之间的折射率的大对比而捕获光的全内反射,发光来自氮化铟镓(InGaN)多量子阱(MQW)。 苏州纳米技术与纳米仿生学研究所和中国科技大学的研究小组在(111)晶向上在硅上生长了UV LED结构。并进行了光线跟踪蒙特卡罗模拟,并选择了250纳米直径的SiO2纳米球来制作圆顶。模拟结果表明,最佳高度/直径(H / D)比为0.27,光提取效率为68%,而平坦表面为19%。 具有0.27 H / D比的纳米棒LED的集成电致发光实现了平坦参考设备的3.9倍的性能。模拟结果表明增加了3.6倍。研究人员还比较了扁平LED与具有“棒”,“梯形”和“锥形”纳米圆顶结构的器件的性能。通过不用反应离子蚀刻减少250μm直径的纳米球并且仅针对不同的处理时间执行电感耦合蚀刻来实现结构。 研究人员还研究了远场辐射模式,发现与扁平LED相比,纳米体可以向前发射更多的辐射。研究人员评论说:“这种现象对于H / D = 0.5的纳米体结构更为明显,表明纳米结构将促进沿垂直方向的光提取,这对UV固化和UV LED的其他相关应用特别有用。AlGaN纳米结构技术可以很容易地扩展到深紫外垂直LED,以增强光提取。”