柔性电子设备(如柔性显示器,柔性太阳能电池和柔性传感器)的快速发展已经引起对高性能柔性透明电极(Transparent Electrode, TE)的需求的增加,其可以在机械变形下保持高导电率和光学透射率。导电金属氧化物薄膜如氧化铟锡(ITO)等,在过去的几十年中被广泛应用于电子器件中作为高性能的TE。但由于ITO固有的局限性如材料的稀缺性和脆性,近年来研究人员一直致力于研究新一代柔性电子产品TE的替代品。而基于金属结构的TE,由于其优良的导电性、光学透过率和机械弯曲性,被认为是非常有前途的候选材料。其中,银纳米线(AgNW)网络以其理想的光电性能、优良的柔韧性和简单的制作工艺,获得了广泛的研究。由于超长AgNW网络能在不牺牲光学透过率的情况下有效地提高导电率,基于超长AgNW网络的TE可以表现出优于商用高性能ITO薄膜的性能。然而,在实际应用中,仍然存在着阻碍AgNW网络进一步发展的技术挑战,包括由于高接触电阻导致的对后处理工艺的需求,由AgNW的随机分布而造成的可重复性问题,以及超长AgNW的较高制造成本等等。而基于电纺聚合物网络的金属纳米纤维网络(Metallic Nanofiber Networks, MNFN)由于其超高的长径比而具备的优异性能成为了另一类具有吸引力的结构金属TE。许多研究报道了MNFN-TE的制备,但在实际制造过程中大多存在局限性,如静电纺丝工艺可重复性差、复杂而耗时的金属化、昂贵的真空加工以及纳米纤维的随机分布导致的制备重现性差。此外,大多数报道的MNFN具有覆盖整个区域的金属纳米纤维,需要一个额外的图案化处理过程来制作功能电路图形,这在许多光电子器件应用中是必不可少的步骤。
【成果简介】
最近,香港大学李文迪教授团队报道了一种利用模板电沉积和压印转移制备高性能金属纳米纤维网络-柔性透明电极(MNFN-TE)的低成本方法。该方法采用的电沉积模板具有玻璃/氧化铟锡/二氧化硅三层结构,绝缘二氧化硅层中有纳米沟槽,可用于MNFN的重复电沉积,然后将其转移到柔性基板上。制备的TEs具有良好的光学透过率(>84%)和电导率(<0.9 Ω sq−1),并且在3 mm的弯曲半径下显示出理想的机械柔韧性和薄层电阻<2 Ω sq−1。同时,从可重复利用模板中复制的MNFN-TE展示出一致和稳定可靠的性能。此外,基于模板的方法还可以通过对模板的选择性掩蔽来实现具有任意导电图形的MNFN-TE的直接图案化。团队利用该方法制备了一种柔性动态电致发光(EL)显示器,并从正反两方面可以观察到其发光图案。该方法为新一代的TE制备提供了新思路,并且有巨大潜力应用于下一代TE中。相关成果以“Scalable Fabrication of Metallic Nanofiber Network via Templated Electrodeposition for Flexible Electronics”发表于Adv. Funct. Mater.期刊上。