美国的工程材料公司II-VI Inc宣布与日本住友电气工业株式会社的子公司日本住友电器设备创新公司（SEDI）展开战略合作，建立垂直整合的150mm晶圆制造平台，制造碳化硅上的氮化镓(GaN-on-SiC)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件，来用于下一代5G无线网络。
II-VI认为，其在150mm化合物半导体制造方面的专业知识可以与SEDI的GaN RF器件技术相结合，这样能够使各方为5G RF的制造提出最好的解决方案，从而扩大生产规模和降低生产成本。
SEDI的企业总监Keiichi Imamura评论道：“II-VI已积极投资建设世界级的150mm化合物半导体制造平台，我们将利用II-VI的制造平台实现经济的生产并扩大生产规模，以便在未来可以使我们能够满足全球对GaN-on-SiC HEMT器件的需求。”
