《氮化物半导体形成辅助微氮化物用来制造微型UV-LED芯片(用于显示器)》

  • 来源专题:集成电路制造与应用
  • 编译者: shenxiang
  • 发布时间:2018-11-09
  • 日本的Nitride半导体有限公司在2000年声称已经开发出第一个高效的紫外发光二极管,今年11月1日其子公司Micro Nitride Co Ltd开发出了用于显示器应用的微型UV LED芯片,并且进行销售。

    近年来,以有机发光二极管(OLED)为代表的自发光显示器已经被用于智能手机等,但由于它们的寿命短和耐热性差,微型LED显示器的发展变得活跃。

    目前,有两种实现微LED显示的方法:3LED型即使用红色、蓝色和绿色的LED,还有蓝光激发型LED,采用蓝色LED激发红色和绿色磷光体。

    该公司表示,上图中的问题可以通过μUV-LED + RGB荧光粉解决。 研究发现,在n层和p层中制造具有应变层超晶格(SLS)结构的μUV-LED芯片时,发光效率可提高一倍。

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    • 日本的Nitride Semiconductors声称已经开发出首个用于半导体和PCB制程曝光系统紫外光源的UV-LED。Nitride Semiconductors于2000年从德岛大学分离出来,宣布称已开发出第一个高效的紫外线发光二极管。 目前,半导体制造中的曝光系统仍使用含汞的紫外线灯,但是存在一些功能限制,例如待机时间长、寿命短、UV照度稳定性差以及开关控制不便。另外,由于环境污染问题,预计《水俣公约》的实施将推动LED光源加快替代含汞光源。 Nitride Semiconductors表示,波长为365nm的新型NS365L-9RXT UV LED芯片功能进一步改善,已经实现效率高、节能且寿命长,在正向电流If为3A,正向电压Vf为4.6V的条件下,紫外输出功率为3.2W。 新型UV LED还具有适用于半导体曝光的窄发光角。半导体制程为实现精准曝光,需要使用平行光。然而,UV-LED光源通常具有宽的方向角(约120°),用于曝光所获的光量趋于不足。因此,通过结合深度反射镜与高透光率透镜,该公司实现了小于或等于15°的发光角。这表明UV LED有可能直接替换传统曝光系统所用的UV光源,无需购买新的UV LED曝光系统 新型UV LED结构非常紧凑,尺寸为长9mm x宽9mm x高8.5mm,因此安装密度更高。 新型NS365L-9RXT UV-LED的批量生产每10000件的单价约为50美元。