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《SK海力士成功开发出基于321层NAND闪存的解决方案产品 UFS 4.1》

  • 来源专题：集成电路与量子信息
  • 发布时间：2025-05-26

  • 据官网5月21日报道，SK海力士宣布开发通用闪存（UFS）4.1，这是一款针对智能手机和平板电脑的高附加值NAND解决方案产品，应用了目前业界最高的321层1TB TLC 4D NAND闪存。该产品支持4300MB/s的数据传输速度，这是UFS第四代产品的最大顺序读取性能。

    随着设备上人工智能（on-device AI）需求的增加，设备的计算能力和电池效率之间的平衡变得更加重要，移动市场现在需要移动设备的轻薄和低功耗。SK海力士将新产品的电源效率比上一代基于238层NAND闪存的产品提高了7%，并将产品厚度从1mm减小到0.85mm，以便安装在超薄智能手机中。

  • 原文来源：https://news.skhynix.com/sk-hynix-develops-ufs-solution-based-on-321-high-nand/
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  • 《韩国SK海力士开发出下一代智能存算一体芯片技术》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：李衍
    • 发布时间：2023-03-15
    • 据官网2月16日报道，SK海力士宣布已开发出具备计算功能的下一代内存半导体技术“PIM（processing-in-memory，存算一体）”。 到目前为止，存储半导体负责保存数据，而非存储半导体（如CPU或GPU）负责处理数据是人们普遍的认知。尽管如此，SK海力士依然在新一代智能存储器领域积极摸索创新，进而首次公开公司在相关领域的研发成果。 SK海力士将在2月底于美国旧金山举行的半导体领域最负盛名的国际学术大会 – 2022年ISSCC（International Solid-State Circuits Conference，国际固态电路会议）大会上发布PIM芯片技术的开发成果。随着PIM技术的不断发展，SK海力士期待存储半导体在智能手机等ICT产品发挥更为核心的作用，甚至在未来成功实现“存储器中心计算（Memory Centric Computing）”。 SK 海力士还开发出了公司首款基于PIM技术的产品 – GDDR6-AiM（Accelerator-in-Memory，内存加速器3）的样本。GDDR6-AiM是将计算功能添加到数据传输速度为16Gbps的GDDR6内存的产品。与传统DRAM相比，将GDDR6-AiM 与 CPU、GPU 相结合的系统可在特定计算环境中将演算速度提高至最高16倍。GDDR6-AiM有望在机器学习、高性能计算、大数据计算和存储等领域有广泛应用。 GDDR6-AiM的工作电压为1.25V，低于GDDR64内存的标准工作电压（1.35V）。不仅如此，PIM的应用还减少了与CPU、GPU的数据传输往来，从而降低了CPU及GPU的能源消耗，借此GDDR6-AiM成功使功耗降低80%。SK海力士相信，借助该产品的低能耗特性，公司得以减少设备的碳排放并改善公司的ESG经营成果。基于具备独立计算功能的PIM技术，SK海力士将通过GDDR6-AiM构建全新的存储器解决方案生态系统。 此外，SK 海力士还计划与最近刚从SK电讯拆分出来的人工智能半导体公司SAPEON Inc.携手合作，推出将GDDR6-AiM和人工智能半导体相结合的技术。
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  • 《SK海力士宣布：全球首款128层4D NAND下半年开卖》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：shenxiang
    • 发布时间：2019-07-04
    • SK海力士于26日宣布，将量产全球首款128层的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND闪存，并计划下半年开始销售。 这是SK海力士去年10月发表96层4D NAND后，时隔8个月再次发表新产品。据韩媒《朝鲜日报》报导，SK海力士为使用TLC设计（每个Cell单元上安装3bit）开发新产品，应用垂直蚀刻、多层薄膜颗粒形成、低电力回路设计等技术，制造出堆栈3600亿以上NAND颗粒、128层的1Tb产品，不仅达到业界最高堆栈数，也超越三星电子量产的90层NAND。 虽然先前已有96层QLC 1Tb规格的产品，但TLC的性能、处理速度皆优于QLC，在NAND市场中，TLC产品市占率更达85％。因此SK海力士首次以TLC技术开发出高容量NAND，备受外界关注。 特别的是，虽然该产品将原本96层NAND产品增加32层，制程手续却减少5％，加上128层4D NAND的每硅片位元生产率比96层4D NAND高4成，即使不使用PUC技术（外围电路），128层4D NAND的位元生产率仍然能提高15％以上。SK海力士对此说明，通过此方式能节省转换新制程的花费，和上一代转换投资费用相比，约能减少6成。《朝鲜日报》指出，这是SK海力士活用去年10月开发的4D NAND工艺平台，并优化制程的成果。 SK海力士计划下半年开始销售128层4D NAND闪存。SK海力士相关人士表示，该产品即使在低电压（1.2V）环境，也能达到1400Mbps数据传输速度，适合应用在高性能、低耗电的移动解决方案，以及企业用SSD（固态硬盘）中。
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