《SK海力士成功开发出基于321层NAND闪存的解决方案产品 UFS 4.1》

  • 来源专题:集成电路与量子信息
  • 发布时间:2025-05-26
  • 据官网5月21日报道,SK海力士宣布开发通用闪存(UFS)4.1,这是一款针对智能手机和平板电脑的高附加值NAND解决方案产品,应用了目前业界最高的321层1TB TLC 4D NAND闪存。该产品支持4300MB/s的数据传输速度,这是UFS第四代产品的最大顺序读取性能。

    随着设备上人工智能(on-device AI)需求的增加,设备的计算能力和电池效率之间的平衡变得更加重要,移动市场现在需要移动设备的轻薄和低功耗。SK海力士将新产品的电源效率比上一代基于238层NAND闪存的产品提高了7%,并将产品厚度从1mm减小到0.85mm,以便安装在超薄智能手机中。

  • 原文来源:https://news.skhynix.com/sk-hynix-develops-ufs-solution-based-on-321-high-nand/
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    • 编译者:李衍
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    • 据8月25日官网报道,SK海力士宣布已开发并开始量产321层2Tb QLC NAND闪存产品。与现有产品相比,新产品容量翻倍至2Tb,并通过将内部可独立运行的平面架构从四平面扩展为六平面,提升了并行处理能力,从而缓解了大容量导致的性能下降问题。新产品不仅具备高容量,其数据传输速度、写入性能和读取性能分别提高了一倍、56%和18%,同时数据写入能效也提高了23%以上,特别适用于低功耗的AI数据中心等领域。SK海力士计划首先在PC SSD上应用该321层NAND闪存,随后扩展到数据中心的企业级固态硬盘(eSSD)和智能手机的嵌入式存储(UFS)产品。此外,公司将利用其独有的封装技术,实现比现有高出一倍的集成度,进军AI服务器的超高容量eSSD市场。SK海力士表示,该产品是全球首个完成300层以上QLC NAND闪存开发的,计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。 原文链接:https://news.skhynix.com.cn/sk-hynix-begins-mass-production-of-321-layer-qlc-nand-flash/
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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:李衍
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    • 据官网2月16日报道,SK海力士宣布已开发出具备计算功能的下一代内存半导体技术“PIM(processing-in-memory,存算一体)”。 到目前为止,存储半导体负责保存数据,而非存储半导体(如CPU或GPU)负责处理数据是人们普遍的认知。尽管如此,SK海力士依然在新一代智能存储器领域积极摸索创新,进而首次公开公司在相关领域的研发成果。 SK海力士将在2月底于美国旧金山举行的半导体领域最负盛名的国际学术大会 – 2022年ISSCC(International Solid-State Circuits Conference,国际固态电路会议)大会上发布PIM芯片技术的开发成果。随着PIM技术的不断发展,SK海力士期待存储半导体在智能手机等ICT产品发挥更为核心的作用,甚至在未来成功实现“存储器中心计算(Memory Centric Computing)”。 SK 海力士还开发出了公司首款基于PIM技术的产品 – GDDR6-AiM(Accelerator-in-Memory,内存加速器3)的样本。GDDR6-AiM是将计算功能添加到数据传输速度为16Gbps的GDDR6内存的产品。与传统DRAM相比,将GDDR6-AiM 与 CPU、GPU 相结合的系统可在特定计算环境中将演算速度提高至最高16倍。GDDR6-AiM有望在机器学习、高性能计算、大数据计算和存储等领域有广泛应用。 GDDR6-AiM的工作电压为1.25V,低于GDDR64内存的标准工作电压(1.35V)。不仅如此,PIM的应用还减少了与CPU、GPU的数据传输往来,从而降低了CPU及GPU的能源消耗,借此GDDR6-AiM成功使功耗降低80%。SK海力士相信,借助该产品的低能耗特性,公司得以减少设备的碳排放并改善公司的ESG经营成果。基于具备独立计算功能的PIM技术,SK海力士将通过GDDR6-AiM构建全新的存储器解决方案生态系统。 此外,SK 海力士还计划与最近刚从SK电讯拆分出来的人工智能半导体公司SAPEON Inc.携手合作,推出将GDDR6-AiM和人工智能半导体相结合的技术。