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《美国国防部发布“微电子共同体”（Microelectronics Commons）2024财年项目征集，以促进美国微电子创新》

  • 来源专题：计量基标准与精密测量
  • 编译者： 李晓萌
  • 发布时间：2024-01-24

  • 作为实施《芯片和科学法案》和拜登总统投资美国议程的一部分，美国国防部近日宣布了“微电子共同体”（Microelectronics Commons）2024财年项目征集（CFP），该呼吁向支持国内微电子原型设计和制造的项目提供高达2.8亿美元的资金，建设可持续的国产微电子途径。Commons CFP强调国防部专注于向作战人员提供先进技术，并发展美国微电子制造业，以增强美国的军事技术优势。国防部预计项目奖励将在2024财年第三季度进行。

    美国国防部副部长Kathleen Hicks于今年9月宣布了八个Microelectronics Commons区域创新中心，其任务是将实验室原型发展为制造原型，并加强半导体劳动力。目前，中心内有380多个组织，其中100多个是学术机构，分布在35个州、哥伦比亚特区和波多黎各。

    分配给Commons的20亿美元总资金将用于六个技术领域：安全边缘/物联网（IoT）计算；5G/6G技术；人工智能硬件；量子技术；电磁战；以及商业领先技术。

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    • 编译者：李晓萌
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    • 来自负责研究与工程的国防部副部长办公室、海军水面作战中心（NSWC）起重机部门和国家安全技术加速器（NSTXL）的代表将于1月22日至2月9日在全国进行为期三周的访问。实地考察将与微电子公共中心、地方政府领导人以及工业界和学术界的专家建立联系，以加快先进微芯片的原型设计，从而增强军事技术优势。 Commons是由芯片和科学法案资助的由八个区域创新中心组成的国家网络，将在23财年至27财年为国内微电子硬件原型设计和劳动力开发提供20亿美元。作为拜登总统“投资美国”议程的一部分，下议院的目标是通过创新中心将地区组织联系起来，加快对国防部至关重要的技术的实验室到工厂原型设计，并通过支持这些地区的劳动力来加强当地经济，补充了商务部和国家科学基金会的项目。 微电子共享执行董事兼微电子首席董事Devanand Shenoy博士将访问所有八个致力于美国国防系统所需尖端微芯片原型设计的中心。Shenoy博士说：“下议院对于确保尖端微芯片的国内供应至关重要，这些芯片是我们作战人员现在和未来使用的系统不可或缺的一部分。”。“我期待着与每个中心的专职专家联系，了解他们的技术战略和劳动力发展计划。” 国防部和跨部门的利益相关者将花三周时间访问中心，并与中心领导人、成员和工作人员举行技术会议。他们还将与地方政府领导人建立联系，为全国各地的半导体研发和生产创造支持性的经济环境。 根据拜登总统的愿景，下议院将支持振兴美国制造业，这在全国范围内都能看到和感受到。这些中心包括430多个组织，其中100多个是学术机构，横跨35个州、哥伦比亚特区和波多黎各。通过这项投资，国防部旨在加快国家安全所需的微芯片的国内原型设计和生产，同时在美国各地的半导体行业创造就业机会。 12月，该部门发布了《微电子共享FY24项目呼吁》（CFP），以促进美国的半导体创新。CFP将为专注于国内微电子原型设计和制造的项目提供高达2.8亿美元的支持，目标是为军队建设一条可持续的国内生产、最先进的微电子管道。这些实地考察将包括与每个中心的技术专家和项目负责人就如何最好地支持未来的项目机会进行对话。
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  • 《美国国会准备建立微电子学计划》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：shenxiang
    • 发布时间：2020-12-14
    • 据战略前沿科技公众号报道，2020年12月初，美国国会通过了2021财年《国防授权法案》，其中包括微电子学研发和生产以及人工智能等方面的跨部门行动条款。在微电子学方面包含有：建立一个美国国家半导体技术中心，以支持公私研发项目；财政资助跨国项目，以发展“安全可衡量”的微电子学并建立联合供应链；创建商务部项目，为“美国用于半导体制造、组装、测试、先进封装或研发的设施和设备”提供联邦财政补贴。对于国会应为整个微电子学相关计划或其组成单元提供多少资金，此次立法并没有提出具体建议。 美国2021财年《国防授权法案》中有关半导体发展激励措施的主要部分如下： 1.半导体领域的激励措施 商务部应该创建财政补贴项目，为半导体领域的实体提供联邦资助，以鼓励它们在美国投资用于半导体制造、组装、测试、先进封装或研发的设备和设施，每个补贴项目不应超过30亿美元，在特殊情况下可申请更高补贴。实现该项目计划，需要联邦相关政府部门间的协调以及的美国政府问责局的审查。 2.国防部关于微电子学的举措 （1）建立公私合作联盟等组织模式 美国国防部应联合商务部、能源部、国土安全部和国家情报局建立公私合作伙伴关系，鼓励建立一个或多个公司联盟或者其他类似的公私合作关系，以确保安全可测量的微电子学产品的开发和生产，包括集成电路、逻辑器件、存储器，以及涉及国家安全应用的此类微电子组件的封测。该部分激励措施可能包涵商务部补贴的使用，针对美国具备商业竞争和可持续的微电子制造和先进研发设施的建立、扩张以及现代化，也会提供相关激励措施。 （2）建立微电子学国家研发网络 美国国防部可以建立一个微电子学国家研发网络，一方面实现美国微电子学创新环节中实验室到制造的过渡；另一方面增强美国在微电子学领域的全球领导地位。 3.审查微电子学技术在美国工业基地中的地位 本法案颁布后，商务部长应在180天内与国防部长、国土安全部长、能源部长等协商进行审查，评估美国工业基地对国防的支持能力，尤其要考虑供应链的全球性、以及美国工业基地与外国工业基地之间在微电子学制造、设计和终端使用方面的重要依赖关系。 4.资助安全可衡量的半导体及其供应链的开发和采用 财政部被授权设立“多边半导体安全基金”，包含为达此目的任何拨款资金，以发展安全可衡量的半导体及其供应链。财政部联合相关政府部门有权与合作政府建立共同资助机制来合理使用该基金，包括跨国研发合作。美国通过跨国基金项目，来确保可信外国合作伙伴的贡献和承若，包括成本共享和其它发展安全可衡量的半导体及其供应链的合作措施。 5.先进微电子学研发方面 1）设立微电子学小组委员会 美国总统应就美国在微电子技术和创新方面的领导力和竞争力问题，设立国家科学技术委员会下属小组委员会。该小组委员会成员包括国防部长、能源部长、国家科学基金会主任、商务部长、国务秘书、国土安全部长、美国贸易代表、国家情报局局长、以及总统认为合适的其他联邦部门或机构的负责人。该小组委员会的职责包括制定微电子学国家战略、促进研发协调。法案发布后，总统需一年内向国会提交微电子学国家战略制定进展；委员会五年后需更新该战略；十年后将终止该小组委员会。 2）设立微电子学咨询委员会 商务部长应与国防部长、能源部长和国土安全部长协商，设立一个咨询委员会。该咨询委员会应由来自工业界、联邦实验室、学术机构的代表组成。咨询委员成员数量不少于12名，他们有权就美国政府关于微电子学研发、制造和政策事宜向美国政府提供建议。 3）建立国家半导体技术中心 商务部与国防部合作建立国家半导体技术中心，以进行先进半导体技术的研究和原型设计，进而确保美国本土供应链的安全和增强美国的经济竞争力。该中心将以公私合作联盟的形式运行，合作伙伴将来自私营部门、能源部和国家科学基金会。 4）启动国家先进封装制造项目 商务部长应启动国家先进封装制造项目，该项目由美国NIST领导。通过该项目，NIST将联合国家半导体技术中心加强美国国内生态的半导体先进测试、组装、封装能力，同时联合可能成立的美国国家制造业研究所促进美国先进封装。 5）NIST开展微电子学研究 美国NIST应开展微电子学研究项目，在测量科学、标准、材料性能、仪器、测试和制造能力方面取得突破进展，以加快下一代微电子学计量的基础研发，同时确保美国在该领域的国际竞争力和领导力。 6）建立半导体国家制造业研究所 美国NIST可以建立致力于半导体制造的美国国家制造业研究所，以支持半导体设施维修虚拟化和自动化的研究；开发新的先进测试、组装和封装能力；培养半导体产业劳动力。 7）制定半导体本土生产政策 半导体激励措施的执行机构需制定相关政策，要求半导体生产的本土化，同时确保微电子研发成果的知识产权不受竞争对手的损害。
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