《纳米级制程新技术,未来电子元件可像报纸一样印刷》

  • 来源专题:集成电路制造与应用
  • 编译者: shenxiang
  • 发布时间:2018-08-02
  • 基于激光诱导超塑性的卷对卷(Roll to Roll laser-induced superplasticity)工艺制程是一种新的制造方法,可用于印刷制造超快速纳米量级的电子器件。

    这种新的制造技术使用类似于报纸印刷领域常用的卷对卷工艺,可以制作出更光滑、更柔软的用于生产高速电子器件的金属线路。

    由普渡大学研究人员开发出的这种低成本工艺,结合了现有工业生产中用于规模化金属加工的工具和方法。研发人员使用了类似于报纸印刷的卷对卷印刷工艺,凭借该工艺的速度和精度,克服了电子产品制造过程中的许多困难。相比于现在,这种工艺大大提升了电子器件的生产速度。

    手机、笔记本电脑、平板电脑和许多其他电子设备依靠其内部的金属线路来实现信息的高速处理。目前的金属线路制作方法一般都是通过把薄薄的液态金属液滴透过一张具有目标线路形状的光罩来形成金属线路的,这有点像在墙壁上涂鸦。

    “然而问题是,这种技术制作出的金属线路,其表面非常粗糙,这会导致电子设备更快地升温,进而更快地耗尽电池,”工业工程和生物医学工程助理教授马丁内斯说。

    另外,未来的高速电子器件还需要更小的金属组件,制造纳米级别更小的金属组件要求更高的分辨率。

    “制作越来越小形状的金属组件需要具有越来越高分辨率的模具,直到纳米量级尺寸,”马丁内斯说。“再者,纳米技术的最新进展也需要我们对尺寸甚至比制成它们的颗粒更小的金属进行图案化,这就像制造比沙粒更小的沙堡。”

    这种所谓的“可成形性极限(Formability Limit)”阻碍我们以纳米级分辨率高速加工材料。

    普渡大学的研究人员通过一种新的规模化制造方法解决了这两个问题——粗糙度和低分辨率——这种方法使得借助传统的二氧化碳激光器制作纳米级光滑金属线路成为可能,二氧化碳激光器在工业切割和雕刻中已经非常常见。

    “像印刷报纸一样印刷微小金属电子器件可以使它们更加平滑。这种表面光滑的电子器件的过热风险很低,可以更好地通过电流”马丁内斯说。

    这种制造方法称为基于激光诱导超塑性的卷对卷加工工艺(Roll to Roll laser-induced superplasticity),它使用像高速打印报纸用的滚动压模版(Rolling Stamp)。该技术可以在短时间内通过应用高能激光照射诱导出各种金属的“超塑性”,这使得金属能够流入滚动压模版的具有纳米级特征的图案内– 这就绕过了“可成形性极限”。

    “在未来,使用我们这项基于卷对卷工艺制造设备的技术,可以生产制造覆盖纳米结构的触摸屏,该纳米结构能够与光相互作用并生成3D图像。当然,这项技术还可以经济高效地制造更灵敏的生物传感器,“Martinez说。

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  • 《美光宣布量产第3代10纳米级制程DRAM》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:shenxiang
    • 发布时间:2019-08-26
    • 根据国外科技媒体《Anandtech》的报导指出,日前美系存储器大厂美光科技(Micron)正式宣布,将采用第3代10纳米级制程(1Znm)来生产新一代DRAM。而首批使用1Znm制程来生产的DRAM将会是16GB的DDR4及LPDDR4X存储器。对此,市场预估,美光的该项新产品还会在2019年底前,在美光位于中国台湾台中的厂区内建立量产产线。 报导指出,美光指出,与第2代10纳米级(1ynm)制程相比,美光的第3代10纳米级制程(1Znm)DRAM制造技术将使该公司能够提高其DRAM的位元密度,从而增强性能,并且降低功耗。此外,以第3代10纳米级制程所生产新一代DRAM,与同样为16GB DDR4的产品来比较,功耗较第2代10纳米级制程产品低40%。 另外,在16GB LPDDR4X DRAM方面,1Znm制程技术将较1Ynm制程技术的产品节省高达10%的功率。而且,由于1Znm制程技术提供的位元密度更高,这使得美光可以降低生产成本,未来使得存储器更加便宜。 报导进一步指出,美光本次并没有透露其16Gb DDR4 DRAM的传输速度为何,但根据市场预计,美光的新一代1Znm制程DRAM存储器将会符合JEDEC制定的官方标准规格。而首批使用美光新一代1Znm制程16GB DDR4存储器的设备将会是以桌上型电脑、笔记型电脑、工作站的高容量存储器模组为主。 至于,在行动存储器方面,根据美光公布的资料显示,1Znm制程的16GB LPDDR4X存储器的传输速率最高可达4266 MT/s。此外,除了为高端智能手机提供高达16GB(8×16Gb)LPDDR4X的DRAM模组外,美光还将提供基于UFS规格的多存储器模组(uMCP4),其中内含NAND Flash和DRAM。而美光针对主流手机的uMCP4系列产品将包括64GB+3GB至256GB+8GB(NAND+DRAM)等规格。 虽然美光没有透露其采用1Znm技术的16GB DDR4和LPDDR4X存储器将会在哪里生产,不过市场分析师推测,美光其在日本广岛的工厂将会采用最新的制造技术开始批量生产,而在此同时,也期待2019年底前在台湾台中附近的美光台湾晶圆厂将开始营运1Znm制程技术的生产线。
  • 《台积电:10纳米制程及InFO技术今年量产》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:tengfei
    • 发布时间:2016-07-01
    • 台积电今举行股东会,共同执行长刘德音在营业报告书中指出,台积电受惠于在技术与制造上所获得的进展,凭借着技术上的领先地位,并在适切的时间提供客户适当的产能,是台积电能够在去年表现优于其他同业的主要关键。在技术方面,台积电已完成10纳米的技术验证,预计于今年进入量产,整合型扇出(InFO)封装技术,也预计今年中之前开始量产。 刘德音指出,2015年是台积公司再创佳绩的1年。面对全球半导体产业环境的诸多挑战,依然缔造营收与获利的新纪录,并且取得重要的技术突破。 2015年,全球经济疲弱、美元走强及金融市场波动,削弱了半导体的整体需求,并延长库存调整周期,然而,台积公司持续受惠于在技术与制造上所获得的进展,凭借着技术上的领先地位,并在适切的时间提供客户适当的产能,是台积公司能够在2015年表现优于其他同业的主要关键。 台积电不仅在20纳米制程的业务较2014年增加1倍,亦成功推出领先业界的16纳米鳍式场效电晶体(FinFET)制程,以创纪录的速度开始量产。2015年,16纳米制程与20纳米制程合计占公司整体营收的20%,高于2014年的9%。 此外,我们也在10纳米制程效能与7纳米制程研发上持续精进,迈向下一个主要的产业里程碑,由于良率的学习过程不断改善,加上半导体元件效能提升,台积公司预计在2016年第1季即开始接受客户的10纳米产品设计定案。 尽管半导体制程技术日趋复杂且资本需求较以往增加,台积公司持续追随“摩尔定律”的技术发展时程与所带来的经济效益向前迈进。摩尔定律已将高效能的移动运算与涵盖全球的通讯产品带进全世界大众的生活中,让集成电路的效能变得强大且价格变得实惠,成为连结日常生活物件与智能网络之间的桥梁。 台积公司致力于技术研发与先进产能的持续投入,必将受惠于摩尔定律的演进,同时也驱动摩尔定律向前推进。 台积电于2015年的重要成就包括:晶圆出货量与2014年相较增加6.1%,达876万3,000片12寸晶圆约当量。 先进制程技术(28纳米及以下更先进制程)的销售金额占整体晶圆销售金额的48%,高于2014年的42%。 提供超过228种制程技术,为470位客户生产8,941种不同产品。连续6年在专业集成电路制造服务市场之占有率持续成长,2015年达到55%。 台积电于2015年全年合并营收为新台币8,435亿元(新台币,下同),较前1年的7,628亿1,000万元增加10.6%;税后净利为新台币3,065亿7,000万元,每股盈余为新台币11.82元,较前1年税后净利2,639亿元及每股盈余10.18元均增加了16%。 若以美元计算,台积电2015年全年合并营收为266亿1,000万美元,税后净利为96亿7,000万美元,而前一年度的全年合并营收为251亿7,000万美元,税后净利则是87亿1,000万美元。台积电2015年毛利率为48.7%,前一年为49.5%;营业利益率为37.9%,前1年则为38.8%。 2015年之税后纯益率则为36.3%,较前1年的税后纯益率34.6%增加1.7个百分点,主要来自非营业项目,包括出售ASML持股所获得的新台币221亿元收益。 台积电已于2014年的盈余分配,将其现金股利调升至每股新台币4.5元,高于过去8年的新台币3元,显示台积公司自由现金流量不断上升。我们有信心,能够在未来也持续现有现金股利的发放水准给股东,并且将会适时的考虑调升每股现金股利。 在技术发展上,刘德音指出,台积电28纳米制程量产已迈入第5年,仍然不断追求创新。我们于2015年针对业界领先的28纳米技术平台推出28纳米高效能精简型制程(28HPC)与28纳米高效能精简型强效版制程(28HPC+)。 这些新增的制程提供更高效能与更低功耗,协助客户完成更小芯片尺寸的电路设计。由于台积电的28纳米解决方案在技术与成本上具备高度竞争力,使得2015年客户的产品设计定案件数攀升,我们相信台积电在这个重要的制程的未来几年依然能够维持超过70%的市占率。 台积电20纳米制程的良率优于预期,在2015年成功为16纳米鳍式场效电晶体强效版制程(16FF+)的推出与产能拉升打下良好基础,客户已积极与台积公司进行合作,并于2015年年底之前取得近40件产品设计定案。借由16FF+制程所获得的经验,我们成功开发16纳米鳍式场效电晶体精简型制程(16FFC),提供客户具高竞争力与成本效益的解决方案,这项制程技术搭配光学微缩与制程简化优势,能进一步降低芯片成本,并可直接从16FF+制程转换。16FFC制程预计于2016年开始量产。 16FF+制程与16FFC制程已做好带动未来成长的准备,将广泛支援大量生产的移动、网络、中央处理器(CPU)、可编程逻辑闸阵列(FPGA)、消费性电子产品、以及绘图处理器(GPU)的应用。2015年,台积公司完成10纳米的技术验证,亦符合目标进度预计于2016年进入量产;同时,台积公司7纳米技术也已进入全面开发阶段,按进度预计于民国106年上半年进入试产。7纳米技术与10纳米技术有超过95%以上的共用设备能相互使用,进而大幅改善芯片密度、降低功耗并且维持相同的芯片效能。 此外,台积公司正以密集的进阶开发来进行5纳米技术的定义。着重于新电晶体及制程技术的前瞻性研究亦持续进行,期望建立稳固的基础来因应未来的技术平台。 台积公司先进的三维集成电路(3D IC)整合型扇出(InFO)封装技术于2015年成功完成验证,能够整合16纳米系统单芯片(SoC)及动态随机记忆体(DRAM)来支援先进的移动产品,预计2016年年中之前开始量产。 同时,我们持续扩展台积公司的开放创新平台(Open Innovation Platform?,OIP)成为半导体产业最完备的设计生态环境。2015年,台积公司扩增元件资料库与矽智财规模已超过1万个项目,较2014年成长18%。2015年,台积公司已在TSMC-Online上提供超过7,500个技术档案及超过200个制程设计套件,每年客户下载使用技术档案与制程设计套件已超过10万次。 在企业发展方面,2015年1月,台积公司董事会核准出售台积固态照明(股)公司股份予晶元光电(股)公司。此交易完成后,台积公司已全面退出LED产业。2015年8月,台积公司宣布台积太阳能(股)公司因业务发展已不具长期经济效益,于该月底前停止其工厂生产业务。台积公司仍持续提供客户所有既有的产品保固,同时邀聘全部台湾厂区员工至台积公司任职。 2015年12月,台积公司向经济部投资审议委员会提出赴中国南京市独资设立12寸晶圆厂与设计服务中心之申请,目的系提高台积公司进入中国市场的商机。经济部核准后,此投资案预计于2016年启动,并于民国107年下半年进入量产。未来展望台积公司近30年前首创专业集成电路制造服务的商业模式,致力于技术领先及卓越制造,并专注于赢得客户的信任。 我们预期全球经济的复苏将会在2016年为半导体产业带来成长的动能。更重要的是,台积公司对于专业集成电路制造服务商业模式的全力投入将会让我们在2016年及未来的成长都大幅领先半导体产业,一如台积公司过去所持续缔造的优异表现。 无论科技产品如何更替起落,半导体已成为一项基础且普遍的技术,决定我们生活的样貌,过去如此、未来亦是如此。创新人员从未停止寻求创造新应用与新服务的脚步,以开拓更多潜在的商机。智能汽车、无人机、机器人、虚拟现实/增强现实、人工智能与穿戴式装置等各式连结或智能元件的兴起,大幅提高了对于处理器速度与功能的需求,而台积公司将与客户携手合作,在未来几年将这些新兴的创新应用推向市场。 台积公司一直以来都以身为“大家的代工厂”作为公司核心策略中关键的一环,我们将持续投入资源为“摩尔定律”及“超越摩尔定律”之各项技术做技术开发并建置产能。台积公司致力于实践我们的使命,以成为全球逻辑集成电路产业中被信赖的技术与产能提供者,我们已准备就绪,未来将持续为股东创造良好的报酬。