本文介绍了一种制备多孔氧化石墨烯(PGO)的新方法。与其他制备PGO的方法相比,例如热蒸汽蚀刻法,氧等离子体刻蚀法要快得多。利用原子力显微镜(AFM)对暴露时间的孔隙率进行了研究。研究发现,利用Si提示,可以通过点击模式AFM来控制PGO对氧等离子体暴露的发展。AFM攻丝使在进一步的等离子体照射下的孔的生长速度与开始材料中sp2碳的分数相一致。我们认为AFM攻丝过程改变了中间PGO结构的键结构,而这些稳定的PGO结构不能被氧等离子体进一步腐蚀。这是第一个关于利用AFM作为本地机械化学工具的报告。
——文章发布于2018年3月8日