纳米科学与技术于2020年9月02日发布关于“高性能光电探测器氮化镓和氮掺杂单层石墨烯杂化异质结构的制备”的文章,文章指出利用化学气相沉积(CVD)技术在氮掺杂单层石墨烯(N-SLG)衬底上外延生长氮化镓(GaN)。用x射线衍射仪(XRD)测定了氮化镓的六方晶体结构。光致发光(PL)光谱、能量色散x射线(EDX)光谱和x射线光电子(XPS)光谱显示,在氮化镓生长过程中,氧、碳和氮以污染或掺杂的形式存在。另外,由于N-SLG的存在,PL在所有样品中都出现了微弱的黄色发光峰。结果表明,氮化镓下的N-SLG的存在有助于提高材料的性能。从电流-电压(I-V)响应可以看出,估计的势垒高度与肖特基-莫特模型吻合较好,理想因子接近统一,说明样品中不存在与表面和界面有关的不均匀性。用这种材料制作的光电探测器在载流子迁移率、灵敏度、响应率和探测性能等方面都具有很高的器件性能。霍尔测量值清楚地表明,这样生长的氮化镓具有高电子含量,这有利于获得非凡的器件性能。