佛罗里达大学和韩国大学的海军研究实验室（NRL）对氧化镓电子发展的现状和潜在未来前景进行了全面研究。最终小组认为，由于各种原因和旧技术长期存在于市场中，氧化镓电子器件很可能为现有的硅、碳化硅和氮化镓技术互补，但预计不会取代它们。氧化镓更有助于低频，高压领域，如AC-DC转换。
小组分析了氧化镓的优缺点，其优势是能以可控方式掺杂用于n型（电子）迁移率，击穿电压高可达3kV和成本低。Ga2O3的一个重要的直接缺点是在高功率密度应用中的低导热率和缺乏p型掺杂机制。
该评论认为氧化镓发展需要在七个方面进行改善：外延生长、欧姆接触、热稳定肖特基接触、增强模式晶体管操作、动态导通电阻降低、工艺集成和热通过被动和主动冷却进行管理。
