《Diodes完成收购德州仪器苏格兰晶圆厂GFAB》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: shenxiang
  • 发布时间:2019-04-14
  • 4月1日,模拟IC厂商达尔科技Diodes官网宣布,已完成对德州仪器位于苏格兰格里诺克的晶圆制造厂和运营部门(GFAB)的收购。

    正如此前所述,Diodes将整合Greenock工厂和晶圆厂业务,包括将所有GFAB员工转移到Diodes。此外,Diodes还向18位支持GFAB运营的承包商提供永久性就业机会。作为多年晶圆供应协议的一部分,当TI转移到其他晶圆厂时,Diodes将继续从GFAB制造TI的模拟产品。GFAB厂房产能高达每月21666—256000片8英寸等效晶圆,具体产能取决于产品组合。

    Diodes的总裁兼首席执行官Keh-Shew Lu博士表示,GFAB的收购与Diodes的战略增长计划完全一致,特别是在汽车和工业市场的扩张,预计GFAB将在实现公司收入和利润增长目标方面发挥重要作用。随着交易的结束,Diodes现在将注意力转向在GFAB积极推进新的晶圆制造工艺和功能以支持Diodes的战略计划。

    据了解,GFAB是国家半导体(National Semiconductor)在美国之外的首个FAB,也是苏格兰Silicon Glen地区早期晶圆厂之一,该工厂于1970年投产、1987年重建,2009年改建为8英寸/6英寸兼容的生产线,2011年德州仪器收购国家半导体时将GFAB收入囊中。

    媒体报道称,2016年初德州仪器就曾表示未来三年内有计划关闭GFAB,GFAB逐步将产品转移到德国、日本和美国的8英寸晶圆厂。

    资料显示,Diodes主要提供分立器件、逻辑器件、模拟和混合信号芯片等产品,包括二极管,整流器、晶体管、MOSFET等。此次收购完成后,Diodes在英国拥有两座晶圆厂(6英寸和8英寸),在中国上海拥有两座晶圆厂(6英寸和8英寸)。

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    • 德州仪器(TI)(纳斯达克:TXN)今日推出了业界首款满足美国汽车电子委员会(AEC)-Q100标准的0级工作环境温度规范的数字隔离器。ISO7741E-Q1具有行业领先的1.5-kVRMS工作电压,可支持高达150°C的0级更高温度限值。新型隔离器使工程师能够更好地保护低压电路免受混合电动汽车(HEV)和电动汽车(EV)系统中高压事件的影响,并无需在冷却系统中进行设计,以将温度降低到125°C(1级合规集成电路(IC)支持的温度)以下。   此外,当在系统设计中执行控制器局域网络灵活数据速率(CAN FD)通信时,工程师可以搭配使用ISO7741E-Q1和新型TCAN1044EV-Q1 0级CAN FD收发器来增强车载网络(IVN)信号保护和覆盖范围。有关TCAN1044EV-Q1的更多信息。 高温可工作增加设计灵活性   0级合规IC满足AEC-Q100温度等级(-40°C至150°C)的要求,可帮助工程师简化恶劣环境中的HEV/EV系统设计,如在48-V HEV中,IC周围的空气可被共存的内燃机和电池系统加热到125°C以上。TI的新型0级设备ISO7741E-Q1和TCAN1044 EV-Q1能在150°C的高温下保持可靠性能,因此可被使用在HEV/EV系统的高温区域,而不增加额外的芯片或设计复杂度。 TI最高的隔离等级和高电磁兼容性   ISO7741E-Q1采用TI的电容隔离技术,具有TI最高的1.5 kVRMS工作电压和5 kVRMS隔离电压,使HEV/EV动力传动系统和HVAC系统能够更可靠地运行,这些系统通常需要穿过隔离栅(如起动发电机、冷却风扇和牵引逆变器)进行信号传输。   此设备具有±100 kV/µs的高典型共模瞬变抗扰度,以及±8-kV国际电工委员会(IEC)61000-4-2接触放电保护,能够在恶劣的汽车环境中提供额外的系统级保护。 快速信号吞吐量,可在更长距离内实现可靠的IVN性能   通过在CAN FD总线设计中结合ISO7741E-Q1和TCAN1044EV-Q1,工程师可以满足国际标准化组织(ISO)11898-2:2016高速汽车通信时间标准,能够在不降低数据速率的情况下,在IVN上扩展信号的范围和可靠性。 封装、供货情况   ISO7741E-Q1 0级数字隔离器现可从TI和授权经销商处购买,它采用了10.3mm x 7.5mm 16引脚小外形集成电路(SOIC)封装。预量产的TCAN1044EV-Q1 0级CAN FD收发器可从TI购买,TCAN1044EV-Q1则采用了4.9mm x 3.91mm 8引脚SOIC封装。
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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:shenxiang
    • 发布时间:2019-04-24
    • 2019年4月22日,安森美半导体(ONSEMI)和格芯半导体(GLOBALFOUNDRIES)联合宣布,双方已经就安森美半导体收购格芯半导体位于纽约东菲什基尔(East Fishkill)的300毫米晶圆厂(格芯半导体工厂内部编号Fab 10)达成最终收购协议。 协议规定,此次收购的总代价为4.3亿美元,其中1亿美元已在签署最终协议时支付,并且将在2022年底支付3.3亿美元,2023年安森美半导体将获得该工厂的全面运营控制权。 300毫米晶圆厂圆梦,强化市场竞争力 此次交易的主要交易亮点有: 1、技术团队拥有丰富的300mm制造和开发经验 2、经过多年的合作,以保证300mm的产能 3、凭借先进的CMOS功能,提升MOSFET和IGBT的生产品质 同时协议还规定,格芯半导体将从明年开始为安森美制造300毫米晶圆产品,安森美半导体在未来3年内(2020-2022)在东菲什基尔工厂安排300毫米的生产,并允许格芯半导体将其众多技术转移到该公司另外的300毫米工厂。 实际上,该份协议还包括技术转让、开发协议以及技术授权协议。通过技术转让协议,安森美半导体将获得先进的45纳米和65纳米CMOS工艺技术,并可获得该基地的所有熟练员工。这将让安森美半导体快速从200mm晶圆转换为300mm晶圆。 安森美半导体总裁兼首席执行官傑克信(Keith Jackson)表示,我们很高兴欢迎格芯半导体东菲什基尔Fab10团队加入安森美半导体大家庭。收购300毫米晶圆制造厂是我们在电源和模拟半导体领域取得领先地位的又一重大举措。此次收购增加了未来几年的额外产能,以支持我们的电源和模拟产品的增长,实现增量制造效率,强化安森美半导体产品的市场竞争力。 众所周知,位于纽约东菲什基尔300毫米晶圆厂原先是属于“蓝色巨人”IBM所有,2015年7月份格芯半导体完成收购“蓝色巨人”IBM的全球商业半导体技术业务。该300毫米晶圆厂最早运行于2003年,已通过美国国防部(DoD)的认证,成为1A类“可信代工Trusted Foundry”服务提供商。 此前,安森美半导体位于爱达荷州和俄勒冈州的两座8英寸晶圆制造通过美国国防部(DoD)的认证,成为1A类“可信代工”服务提供商,至此安森美半导体将成为美国唯一拥有8英寸和12英寸1A类“可信代工”服务提供商。 此次安森美半导体出手收购300毫米晶圆制造厂,既在意料之外,但却在情理之中。 安森美半导体的产品系列包括电源和信号管理、传感器、模拟、逻辑、时序、分立器件、光电器件及ASSP,其主要竞争对手包括德州仪器(TI)、美信(MAXIM)、意法半导体(STM)、英飞凌(Infineon)等在内都在使用300毫米制造产品。 德州仪器早在2009年主开始运营全球首座300毫米模拟晶圆厂,并在2015年开始内部第二座300毫米模拟晶圆厂的运营。德州仪器是全球模拟IC的霸主。 英飞凌于2011年收购奇梦达的300毫米存储晶圆制造厂进行改造,2013年改造成业界首个功率半导体的量产厂;最初的用途是生产家用电子设备上的功率半导体,现在开始为汽车电子应用制造功率半导体。英飞凌是全球IGBT的霸主。 意法半导体也于2015年在其内部300毫米晶圆厂生产模拟器件。 美信虽然没有300毫米晶圆制造厂,但是其在2011年就和力晶科技(Powerchip)进行合作,在力晶科技300毫米晶圆厂进行模拟产品代工。 安森美半导体此时出手收购300毫米晶圆制造厂,还面临中国内地众多晶圆制造厂的压力。 目前中国内地在建或宣布建设的300毫米模拟和功率器件晶圆厂包括华虹半导体无锡、广州粤芯半导体、士兰微厦门、矽力杰青岛、华润微电子重庆、万代半导体重庆等,一旦这些300毫米晶圆厂产能开出,势必对全球模拟和功率器件市场产生巨大影响。 而此时出手收购格芯半导体的300毫米晶圆制造厂,确实花费不多,仅仅4.3亿美元,不仅获得厂房设施和生产设备,还有技术转让,更可喜的是获得大批成熟员工。同时还可防止设备流入竞争对手或中国内地。 安森美的收购之路 1999年8月4日摩托罗拉半导体元件集团(Semiconductor Components Group,SCG)分拆成立安森美半导体,专业生产模拟电路,逻辑电路、分立小信号及功率器件。 当初,安森美半导体摩托罗拉分拆时,只拥有一大堆4英寸的小厂,只有两座6英寸工厂,之后经过一系列的并购,安森美半导体在北美、欧洲和亚洲都建有14座晶圆制造厂,其中7座8英寸,6座6英寸,还有1座5英寸。 2000年4月收购Cherrry半导体公司,获得多相控制器、驱动器、汽车/工业电源管理、汽车ASSP等产品线。 2006年收购LSI Logic一座8英寸制造厂,这是公司的第一座8英寸晶圆制造厂,帮助公司提升工艺技术。 2007年12月31日收购亚德诺半导体的稳压及热管理部,获得多相控制器、驱动器、热管理器件等产品线。 2008年3月17日收购AMI Semiconductor,获得汽车应用高压ASIC、超低功耗(ULP)SRAM存储器,LIN及CAN收发器,低功耗射频收发器,步进电机驱动器音频DSP系统,以太网供电(PoE),工业过程自动化等产品线,增强公司时钟及定时器,高端驱动器的实力;并获得一座4英寸和一座6英寸晶圆厂。 2008年收购Catalyst Semiconductor,获得数字电位计、I/O扩展器、EEPROM、NVRAM等产品线。 2009年收购PulseCore Semiconductor,获得扩频时钟产品线,增强EMI 滤波和电路保护产品组合. 2010年收购加利福尼亚微器件(CMD),增强公司静电放电(ESD)保护,电磁干扰(EMI)滤波器,接口,电源管理的实力。 2010年7月收购Sound Design Technologies, Ltd.,纳入医疗部,增强超低功耗(ULP)数字信号处理器(DSP),高密度互连技术的实力,并获得一座6英寸晶圆制造厂,以扩充产能。 2011年收购赛普拉斯的图像传感器业务部(ISBU),获得2D高性能CMOS图像传感器产品线。 2011年收购三洋半导体(Sanyo Semiconductor),获得微控制器,电机驱动器,音频/视频,电源模块等产品线;增强电源管理,专用集成电路(ASIC),存储器,MOSFET,IGBT的竞争实力;获得位于岐阜、群马和新泻的多座晶圆厂。 2014年收购CCD图像传感器商Truesense Imaging Inc.,进入CCD领域;并获得一座6英寸晶圆厂。 2014年收购CMOS图像传感器商Aptina Imaging Corp.,强化CIS产品。 2015年收购瑞士模拟和混合信号产品供应商AXSEM AG,获得RF收发器产品线。 2016年收购仙童半导体,获得一座6英寸和两座8英寸晶圆厂。 2018年收购SensL,帮助公司扩展其成像、雷达和LiDAR(激光雷达)产品供应能力,从而扩大其ADAS(高级驾驶辅助系统)和自动驾驶等汽车传感应用的市场份额。 2018年,增购富士通的两座8英寸晶圆厂的20%股权收购,目前安森美半导体持有两座晶圆厂的60%的股权。