《GlobalFoundries与Soitec的300mm RF-SOI晶片达成多年供货协议》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2020-11-07
  • 美国加利福尼亚州圣克拉拉市的GlobalFoundries(GF)(全球最大的半导体铸造厂之一,在新加坡,德国和美国都有业务)和位于法国格勒诺布尔附近的Bernin的工程衬底制造商Soitec宣布了一项多年供货协议 适用于300mm射频绝缘体上硅(RF-SOI)晶圆。 在两家公司长期合作的基础上,该战略协议确保了晶圆的供应,这将使GF进一步扩大其在为下一代手机市场提供解决方案的过程中的作用。

    晶圆供应协议的主要推动力是GF最先进的RF-SOI解决方案8SW RF SOI的增长。 8SW RF-SOI RF前端模块(FEM)平台被称为一流的开关和低噪声放大器,经过优化,可提供设计人员以及现有和将来的4G LTE和6GHz以下5G智能手机的供应商所需的性能,功率效率和数字集成的组合。 新平台使用Soitec开发的最先进的RF-SOI基板。 据说GF的8SW RF-SOI客户包括用于5G 6GHz以下智能手机的顶级FEM供应商。

    移动和无线基础架构高级副总裁兼总经理Bami Bastani博士说:“当今市场上十种智能手机中有八种是使用GlobalFoundries制造的芯片,随着行业向5G过渡,对我们差异化RF解决方案的需求持续飙升。如果没有GlobalFoundries和我们行业领先的特殊RF解决方案,5G革命将是不可能的。 从我们长期的合作伙伴Soitec确保这一关键的晶圆供应,使GF能够满足我们对5G解决方案不断增长的需求。”

    新协议以GF与Soitec之间的现有合作伙伴关系为基础。 2017年,两家公司为GF的22FDX平台使用完全耗尽的绝缘体上硅(FD-SOI)晶圆签订了为期五年的供应协议。GF的22FDX平台在德国德累斯顿制造,此后实现了45亿美元的设计大奖,向全球客户交付了超过3.5亿个芯片。

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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
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    • 法国Soitec公司和上海新傲(Simgui)宣布加强合作,并将Simgui制造工厂的200mm SOI晶圆年产能从18万片增加至36万片,以更好的适应全球市场中对RF-SOI和功率SOI需求的不断增长。 自2014年5月签署许可和技术转让协议以来,Simgui已采用Soitec的专有Smart Cut技术制造200mm SOI晶圆。 两家公司表示,通过密切合作和以大批量交付SOI产品达到了增加产能这一目的。Simgui将专注于SOI晶圆制造,而Soitec将则负责全球产品转售。为满足全球对200mm SOI日益增长的需求,Simgui已提高了其上海生产线的生产能力,这些需求来自移动前端模块(FEM)中使用的RF-SOI以及汽车和消费电子产品中使用的功率SOI。 Soitec的通信与电力业务部执行副总裁Bernard Aspar博士说:“我们非常高兴能够与Simgui建立长期合作关系,以确保我们的客户能够获得200mm的容量,其中RF-SOI是目前4G和5G射频有限元标准,Soitec和Simgui将为市场提供合适的产能和高的产品质量。” Simgui首席执行官Jeffrey Wang博士说:“通过与Soitec的工业合作,Simgui已经证明了Soitec Smart Cut技术的稳健性和大批量可扩展性,中国拥有晶圆制造和IC行业的巨大市场,我们将继续推动与Soitec的战略合作伙伴关系。”
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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2021-03-20
    • X-FAB和IHP宣布建立行业学术合作伙伴关系,将X-FAB在半导体制造方面的专业经验与IHP的无线通信专业技术结合在一起,目的是交流知识,互惠互利。X-FAB是全球领先的模拟/混合信号和微机电系统(MEMS)芯片代工厂集团,专门制造用于汽车、工业、消费级、医疗及其他应用领域的硅晶片。IHP是德国高性能微电子莱布尼茨微电子创新研究所(IHP)的简称,位于奥得河畔的法兰克福,是一家拥有300名员工的德国研究所。 IHP的有源器件将直接集成到X-FAB的130nm XR013射频绝缘体上硅(RF-SOI)工艺的线路后端(BEOL),该工艺以Cu和厚铜为基础的金属化为特色,以及性能无源元件,例如电感器和变压器。这种集成意味着可以尝试下一代无线系统概念。 正在进行的合作工作的另一个重点是硅锗(SiGe)双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)技术的开发。这方面的基础将是IHP的SiGe异质结双极晶体管。这些晶体管具有强大的性能参数,对于SG13S-Cu,fT / fmax值高达250 / 340GHz,SG13G2-Cu的fT / fmax值高达300 / 500GHz。所采用的3μm厚的低损耗铜互连也将被证明对提高RF性能水平很有价值。 通过IHP和EUROPRACTICE联盟提供了针对RF-SOI和SiGe BiCMOS技术的原型服务。IHP和X-FAB开发的技术将有机会用于光电子和5G无线通信系统,以及创新雷达的实现。 X-FAB射频技术总监Greg U’Ren博士说:“对于包括5G在内的许多无线应用来说,SiGe BiCMOS仍然是一个很有吸引力的前景,因为它可以在硅基平台上集成高性能射频。IHP和X-FAB都意识到了这里的巨大潜力。我们正在研究的技术是利用每个合作伙伴各自优势的协同关系的成果。” 国际水文计划科学主任教授Gerhard Kahmen评论说:“X-FAB作为欧洲领先的半导体制造商之一,我们非常高兴能其合作。这种合作关系使我们能够将一流的研究转移到商业应用中,为下一代高性能射频系统奠定基础,如400G数据通信、60-300GHz雷达和sub-THz成像。”