利用特征尺寸与可见光波长相当的活性层纳米化是提高光电器件性能的一种流行策略，因为这些结构由于多重散射、衍射和抗反射的共同作用而通过光捕获来增强光路长度。在此，我们报告了在软石印图案PEDOT:带光栅几何的PSS层上制造ZnO/CdS自偏异质结光探测器。本研究将无机器件的鲁棒性与有机PEDOT:PSS层的易制模性相结合。本研究采用两种不同线宽的图案(L P = 350 nm, Lp = 750 nm)，了解特征尺寸对器件性能的影响。我们在有图案的器件上观察到增强的光致发光，与在平PEDOT:PSS薄膜上制作的器件相比，这是由于有机层和无机层之间的界面面积增加。光谱响应[R(λ)]和特定的探测能力(D *(λ))发现高Lp = 350 nm的设备与其他设备相比,由于内增强吸收光的结构由于监禁,这也是导致减少反射率与Lp设备= 350海里。
——文章发布于2018年10月9日
