《MACOM和ST为主流RF应用开发GaN-on-Si制造》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2018-02-17
  • 美国马萨诸塞州洛厄尔市的MACOM技术解决方案控股公司(其生产用于射频,微波,毫米波和光波应用的半导体,组件和子组件)以及瑞士日内瓦的意法半导体公司已同意开发硅上氮化镓(GaN-on- Si)晶圆并由ST制造,供MACOM在各种射频应用中使用。

    在扩大MACOM的供应来源的同时,该协议还授权ST在移动电话,无线基站和相关商业电信基础设施应用之外的射频市场上生产和销售自己的GaN-on-Si产品。

    因此,MACOM期望能够提高硅晶圆制造能力并改善成本结构,旨在取代现有的硅LDMOS并加速在主流市场上采用氮化镓衬底。ST和MACOM已经携手合作多年,在ST的CMOS晶圆厂推出GaN-on-Si生产。ST的样品生产预计将于今年开始。

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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2020-07-26
    • ALLOS Semiconductors GmbH宣布了一项协议,将其氮化镓(GaN)射频和电力电子业务出售给Azur Space Solar Power GmbH。 专利分析和技术情报公司Knowmade指出,Azur Space是电力电子业务的一个新进入者,没有与GaN-on-Si外延和电力GaN器件技术相关的现有知识产权资产,但有能力进行大批量生产。 ALLOS已通过许可和技术转让将其继承自Azzurro半导体公司的Epiwafer技术提供给新公司,ALLOS将依靠其专利和专有的生长技术以及外延结构,使新的参与者能够安全地进入GaN-on-Si业务。 实际上,两家公司之间的第一次专利转让发生在2015年,涉及的是与Azzurro在2013年提交的电力应用最相关的发明。 Knowmade评估说这笔交易为Azur Space提供了非常相关的专利,以开发GaN-on-Si技术,并在竞争者中脱颖而出。除了专利以外,它还可以依靠ALLOS在该领域的专业知识,该公司似乎在其业务发展中一直侧重于专有技术和技术转让,而不是IP许可。实际上,ALLOS正在积极开发其用于微型LED的GaN-on-Si技术,根据最新公告,它将在未来几年内将业务重点放在微型LED上。但是,这尚未转化为专利活动,因此它很可能会遵循与电源和RF电子产品相同的策略,重点是商业秘密和技术转让。 Knowmade指出,近年来功率GaN专利领域和GaN-on-Si专利领域发展迅速,众多创新型初创公司和主要电力电子产品制造商都在努力巩固自己的地位,以为有前途的功率GaN市场做准备。
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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2020-11-01
    • 新加坡IGSS GaN Pte Ltd(IGaN)指出,近年来,由于GaN功率和RF器件在各种应用中的采用越来越多,GaN基产品的需求不断增长。该公司开发并商业化了GaN-on-Si / SiC外延晶片和专有的8英寸(200毫米)GaN制造技术,用于功率、RF和传感器应用。GaN基材料的宽禁带可提供显著的击穿电场和高漂移速度,适用于制造大功率和高频器件。 由于III型氮化物材料与硅衬底之间存在材料特性差异,给实际应用带来了技术挑战。这样的问题之一是在III型氮化物/硅界面处形成了寄生通道,这会导致寄生损耗,严重降低设备的输出功率、功率增益和效率。对于RF应用,硅上的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的关键要求是减少AlN / Si界面的传导损耗。由于反应器中Al和Ga残留物的掺杂而使AlN / Si界面变得导电,因此反应器的预处理和硅基板上第一AlN层的生长条件对于抑制传导损耗至关重要。 IGaN的技术具有实现极低传导损耗的独特优势,符合用于射频应用的硅基GaN HEMT的行业标准。对于10GHz的工作频率,最近处理的IGaN 150mm硅上GaN HEMT晶片在室温下的传导损耗为0.15dB,在高温下的传导损耗为0.23dB。除了传导损耗测试外,IGaN还实施了一种快速方法,可在晶圆厂加工之前筛选出性能不佳的GaN外延片。如果外延片衬底具有高传导性,则可以避免下游加工晶圆和封装器件的潜在浪费和损失,IGaN表示,高传导损耗外延片的早期检测对于RF GaN器件的批量生产至关重要。