《中国科学院上海微系统与信息技术研究所等机构在zGNRs磁性研究方面取得进展,获得锯齿型石墨烯纳米带中室温铁磁性的直接实验证据》

  • 编译者: 李晓萌
  • 发布时间:2025-09-10
  • 石墨烯作为独特的二维材料,其p轨道电子磁性与传统磁性材料中d/f轨道电子的局域磁性不同,这为探索纯碳基量子磁性开辟了新的研究方向。锯齿型石墨烯纳米带(zGNRs)因在费米能级附近可能具有独特的磁性电子态,被认为在自旋电子学器件领域具有潜力。然而,通过电输运方法探测zGNRs的磁性面临多重挑战。例如,自下而上组装的纳米带通常长度过短,难以进行可靠的器件制备。同时,zGNRs边界的高化学反应活性也可能导致不稳定性或不均匀掺杂。此外,在较窄的zGNRs中,边缘态的强反铁磁耦合会使得在电学上难以测量其磁性信号。这些因素阻碍了针对zGNRs磁性的直接探测。

    近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所王浩敏团队与上海师范大学副教授王慧山等,在zGNRs磁性研究方面取得进展。该团队基于前期积累,通过金属粒子预刻蚀六方氮化硼(hBN)得到取向的原子沟槽,并利用气相催化CVD方法实现沟槽内石墨烯纳米带的手性可控制备,得到嵌入hBN晶格的~9 nm宽度的zGNRs样品。结合扫描NV色心显微镜和磁输运测量,团队在实验中直接证实了其本征磁性。

    研究发现,嵌入hBN晶格的zGNRs具有更高的边界稳定性,并具备内建电场,为探测zGNRs磁性创造了理想条件。借助扫描NV色心显微镜技术,研究在常温下直接观测到zGNRs的磁性信号。在电学输运测量中,制备的约9纳米宽的zGNR晶体管展现出高导电性和弹道输运特性。在磁场作用下,器件表现出显著的各向异性磁阻,磁阻变化在4 K温度下达约175 Ω,磁阻比约为1.3%,同时该信号在350 K时依然存在。磁滞现象仅在垂直于zGNRs平面的磁场下出现,证实了其磁各向异性。研究分析磁阻随倾斜角变化发现,磁矩垂直于样品表面。此外,磁阻变化随源漏偏压和温度的升高而减小,揭示了磁响应与电荷输运和热振动之间的相互作用。

    该研究结合扫描NV色心显微镜技术和输运测量,直接证实了嵌入hBN的zGNRs中本征磁性的存在,为通过电场控制磁性提供了可能。这一成果加深了科研人员对石墨烯磁性性质的认知,为开发基于石墨烯的自旋电子学器件开辟了新道路。

    相关研究成果发表在《自然-材料》(Nature Materials)上(10.1038/s41563-025-02317-4)。研究工作得到国家重点研发计划和国家自然科学基金等的支持。

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  • 《中国科学院上海微系统与信息技术研究所等机构研究团队提出紧凑型太赫兹三光梳光源实现方案》

    • 编译者:李晓萌
    • 发布时间:2025-09-10
    • 近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员黎华团队与华东师范大学教授曾和平团队合作,在太赫兹(THz)三光梳光源研究方面取得进展。该研究提出了紧凑型太赫兹三光梳光源的实现方案,构建了由三个太赫兹量子级联激光器(QCL)组成的三光梳系统,提升了信息获取能力与测量精度。研究采用片上集成的双光梳(Comb-1和Comb-2)与独立单光梳器件(Comb-3)相结合的三光梳架构,在实现样品探测功能的同时提升了系统的热稳定性。研究显示,通过自探测技术,可获得任意两组光频梳多外差混频产生的三光梳信号。 该团队采用三维和二维有限元仿真方法,研究了三光梳间的耦合机制。三维模拟仿真显示,对于单面金属波导THz QCL光频梳来说,光场有很大部分存在于衬底中,因此Comb-1和Comb-2通过衬底实现有效耦合。针对Comb-1(或Comb-2)与Comb-3的耦合,由于器件纳米级尺寸与厘米级间距的尺度不匹配,研究采用二维有限元仿真证实其主要通过自由空间实现耦合。实验结果表明,该系统可产生信噪比超过30 dB的稳定三光梳信号,具有11个梳齿模式。该太赫兹三光梳系统展现了灵活的光谱获取能力:当Comb-3作为快速探测器时,可同步获取Dual-Comb 13和Dual-Comb 23射频谱;当Comb-2作为探测器时,可获得Dual-Comb 12和Dual-Comb 23射频谱。相位噪声谱分析证实,这一系统具有良好的稳定性。 上述研究为太赫兹光谱学和精密测量等领域提供了高性能光源解决方案,并为太赫兹多光梳技术的进一步发展奠定了基础。 7月29日,相关研究成果在线发表在《激光与光子学评论》(Laser & Photonics Reviews)上(DOI:10.1002/lpor.202501255)。研究工作得到国家自然科学基金、科技创新-2030重大项目、中国科学院相关项目等的支持。
  • 《中国科学院半导体所、北京大学等在石墨烯上外延深紫外LED研究中取得新进展》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:shenxiang
    • 发布时间:2019-04-30
    • 深紫外LED可以广泛应用于杀毒、消菌、印刷和通信等领域,国际水俣公约的提出,促使深紫外LED的全面应用更是迫在眉睫,但是商业化深紫外LED不到10%的外量子效率严重限制了深紫外LED的应用。AlN材料质量是深紫外LED的核心因素之一,AlN薄膜主要是通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法异质外延生长在c-蓝宝石、6H-SiC和Si(111)衬底上,AlN与衬底之间存在较大的晶格失配与热失配,使得外延层中存在较大的应力与较高的位错密度,严重降低器件性能。与此同时,AlN前驱体在这类衬底上迁移势垒较高,浸润性较差,倾向于三维岛状生长,需要一定的厚度才可以实现融合,增加了时间成本。 最近,中国科学院半导体研究所照明研发中心与北京大学纳米化学研究中心、北京石墨烯研究院刘忠范团队合作,开发出了石墨烯/蓝宝石新型外延衬底,并提出了等离子体预处理改性石墨烯,促进AlN薄膜生长实现深紫外LED的新策略。通过DFT计算发现,等离子体预处理向石墨烯中引入的吡咯氮,可以有效促进AlN薄膜的成核生长。在较短的时间内即可获得高品质AlN薄膜,其具有低应力、较低的位错密度,深紫外LED器件表现出了良好的器件性能。该成果以Improved Epitaxy of AlN Film for Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Enabled by Graphene 为题发表在《先进材料》上(Adv. Mater.,DOI: 10.1002/adma.201807345)。半导体所研究员李晋闽、魏同波与北京大学刘忠范、研究员高鹏作为论文共同通讯作者,陈召龙与刘志强为论文共同第一作者。 同时,魏同波与刘忠范团队合作提出了石墨烯/NPSS纳米图形衬底外延AlN的生长模型,理论计算和实验验证了石墨烯表面金属原子迁移增强规律,石墨烯使NPSS上AlN的合并时间缩短三分之二,同时深紫外LED功率得到明显提高,使深紫外光源有望成为石墨烯产业化的一个突破口。相关成果在Appl. Phys. Lett. 114, 091107 (2019)发表后被选为Featured article,并被AIPScilight 以New AlN film growth conditions enhance emission of deep ultraviolet LEDs 为题专门报道,也被半导体领域评论杂志Compound Semiconductor 杂志版(2019年第3期)和Semiconductor Today 同时长篇报道。 此外,针对深紫外发光器件中p型掺杂国际技术难题,刘志强提出了缺陷共振态p型掺杂新机制,该方法基于能带调控,获得高效受主离化率的同时,维持了较高的空穴迁移率,实现了0.16 Ω.cm的p型氮化镓电导率,为后续石墨烯在深紫外器件透明电极中的应用奠定基础。相关成果发表在Semicond. Sci. Technol. 33, 114004 (2018),并获该期刊2018年度青年科学家最佳论文奖,该成果也得到2014年诺贝尔物理学奖获得者Amano的积极评价。 上述系列研究工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、北京市自然基金的支持。